講演名 | 1997/3/6 SmCo/Cr薄膜の磁気特性と結晶構造に及ぼすCr下地層作製条件の効果 武井 重人, 庄村 聡, 森迫 昭光, 松本 光功, |
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抄録(和) | DCマグネトロンスパッタリング装置(DCMS)および対向ターゲット式スパッタリング装置(FTS)を用いてArガス圧を変化させて作製したCr下地層をもつSmCo/Cr薄膜の結晶構造および磁気特性を比較、検討した。Arガス圧を減少することによってCr下地層のCr(110)からのX線回析強度を大きくできた。FTSで作製した薄膜の保磁力はArガス圧が0.27 Paのときに最大になることがわかった。またFTSで作製した薄膜はDCMSで作製した薄膜よりも高飽和磁化、高保磁力であったが、角形比が低下することがわかった。 |
抄録(英) | SmCo/Cr films with Cr underlayers which were prepared with DC magnetron sputtering (DCMS) system and facing targets sputtering (FTS) system at various Ar gas pressure were studied. It was found that as Ar gas pressure were decreased, the intensitis of X-ray diffraction lines became stronger and that the coercivity for the film by FTS system has maximum value at Ar gas pressure of 0.27 Pa. Furthermore, it was found that the film by FTS has higher saturation magnetization and higher coercivity, and lower squareness ratio as compared to the film try DCMS. |
キーワード(和) | SmCo/Cr薄膜 / DCマダネトロンスパッタリング装置 / 対向ターゲット式スパッタリング装置 / Cr下地層作製時のArガス圧 / 磁気記録媒体 |
キーワード(英) | SmCo/Cr film / DC magnetron sputtering system / facing targets sputtering system / Ar gas pressure for Cr underlayer preparation / magnetic recording media |
資料番号 | MR96-104,CPM96-145 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 1997/3/6(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | SmCo/Cr薄膜の磁気特性と結晶構造に及ぼすCr下地層作製条件の効果 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Effect of Preparation Condition of Cr Underlayer on Magnetic Properties and Crystal Structure of SmCo/Cr Films |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | SmCo/Cr薄膜 / SmCo/Cr film |
キーワード(2)(和/英) | DCマダネトロンスパッタリング装置 / DC magnetron sputtering system |
キーワード(3)(和/英) | 対向ターゲット式スパッタリング装置 / facing targets sputtering system |
キーワード(4)(和/英) | Cr下地層作製時のArガス圧 / Ar gas pressure for Cr underlayer preparation |
キーワード(5)(和/英) | 磁気記録媒体 / magnetic recording media |
第 1 著者 氏名(和/英) | 武井 重人 / S. Takei |
第 1 著者 所属(和/英) | 信州大学工学部 Department of Information Engineering, Shinshu University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 庄村 聡 / S. Shomura |
第 2 著者 所属(和/英) | 信州大学工学部 Department of Information Engineering, Shinshu University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 森迫 昭光 / A. Morisako |
第 3 著者 所属(和/英) | 信州大学工学部 Department of Information Engineering, Shinshu University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 松本 光功 / M. Matsumoto |
第 4 著者 所属(和/英) | 信州大学工学部 Department of Information Engineering, Shinshu University |
発表年月日 | 1997/3/6 |
資料番号 | MR96-104,CPM96-145 |
巻番号(vol) | vol.96 |
号番号(no) | 561 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |