講演名 | 1998/3/13 宇宙用及び民生用バイポーラトランジスタのシングルイベント耐性 鈴木 隆博, 杉本 憲治, 修行 新一, 久保山 智司, 松田 純夫, 平尾 敏雄, 梨山 勇, 広瀬 孝幸, 大平 秀春, |
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抄録(和) | 宇宙空間では、銀河宇宙線や太陽フレアからの放射線が半導体デバイスに入射した場合、シングルイベントと呼ばれる誤動作(ソフトエラー)や破壊(ハードエラー)を起こす現象が見られる。これまで、パワーMOSFETのシングルイベント耐性に関するデータを取得してきたが、今回、その測定技術をバイポーラトランジスタに応用し、宇宙用及び民生用バイポーラトランジスタのシングルイベント耐性のデータを取得した。 |
抄録(英) | In space, a failure mode of semiconductor devices as single event effect by a incident of a radiation from solar flare and a cosmic ray is known. In the previous study, single event effect of Power MOSFETs is studied. In this study, we observe single event effect of bipolar transistors using a measurement techniques for Power MOSFETs and obtain a data of a tolerance for single event effect of bipolar transistors. |
キーワード(和) | バイポーラトランジスタ / シングルイベント |
キーワード(英) | bipolar transistors / single event effect |
資料番号 | |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 1998/3/13(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 宇宙用及び民生用バイポーラトランジスタのシングルイベント耐性 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Tolerance for Single-Event Effect of Bipolar Transistors for Space and Commercial system application |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | バイポーラトランジスタ / bipolar transistors |
キーワード(2)(和/英) | シングルイベント / single event effect |
第 1 著者 氏名(和/英) | 鈴木 隆博 / Takahiro Suzuki |
第 1 著者 所属(和/英) | 宇宙開発事業団 National Space Development Agency of Japan |
第 2 著者 氏名(和/英) | 杉本 憲治 / Kenji Sugimoto |
第 2 著者 所属(和/英) | 宇宙開発事業団 National Space Development Agency of Japan |
第 3 著者 氏名(和/英) | 修行 新一 / Sinichi shugyo |
第 3 著者 所属(和/英) | 宇宙開発事業団 National Space Development Agency of Japan |
第 4 著者 氏名(和/英) | 久保山 智司 / Satoshi Kuboyama |
第 4 著者 所属(和/英) | 宇宙開発事業団 National Space Development Agency of Japan |
第 5 著者 氏名(和/英) | 松田 純夫 / Sumio Matsuda |
第 5 著者 所属(和/英) | 宇宙開発事業団 National Space Development Agency of Japan |
第 6 著者 氏名(和/英) | 平尾 敏雄 / Toshio Hirao |
第 6 著者 所属(和/英) | 日本原子力研究所高崎研究所 Japan Atomic Energy Research Institute Takasaki Radiation Chemistry Research Establishment |
第 7 著者 氏名(和/英) | 梨山 勇 / Isamu Nashiyama |
第 7 著者 所属(和/英) | 日本原子力研究所高崎研究所 Japan Atomic Energy Research Institute Takasaki Radiation Chemistry Research Establishment |
第 8 著者 氏名(和/英) | 広瀬 孝幸 / Takayuki Hirose |
第 8 著者 所属(和/英) | 菱栄テクニカ Ryoei Technica Corp. |
第 9 著者 氏名(和/英) | 大平 秀春 / Hideharu Ohira |
第 9 著者 所属(和/英) | 菱栄テクニカ Ryoei Technica Corp. |
発表年月日 | 1998/3/13 |
資料番号 | |
巻番号(vol) | vol.97 |
号番号(no) | 601 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |