| 講演名 | 1997/10/31 電着法によるCIS系薄膜の堆積 蔵之内 真一, 中澤 達夫, |
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| 抄録(和) | 比較的簡単な装置により安価に大面積の半導体薄膜を堆積できる可能性を持つ同時電着法により、高効率薄膜太陽電池用材料として注目されているCuInSe_2 (CIS) 系薄膜の堆積を試みた。電着電位および電着溶液のpH値を調整することにより、室温での堆積でほぼ化学量論組成に近いCuInSe_2化合物薄膜が得られた。これを熱処理することにより結晶粒径の増大が認められたが, 異相の発生が観察される場合もあり基板 (金属Mo板、またはMo/glass) の種類等の影響が大きいものと考えられる。禁制帯幅をより光吸収体に適した値に調整する目的で試みた4元CuIn (Se, S)_2の電着については、電着溶液中の沈殿除去を行うことにより堆積膜中の硫黄を制御できることがわかった。 |
| 抄録(英) | One step electrodeposition of CuInSe_2 and CuIn (Se, S)_2 films, which are the group of most promising light absorbing materials for highly efficient thin film solar cells, have been investigated. Near stoichiometric films of CuInSe_2 were obtained by controlling the deposition parameters such as deposition potential and pH value of the source solution. The grain size of the deposited film was enhanced after annealing in vacuum. The sulfur contents in the electro-deposited quarternary films of CuIn (Se, S)_2, which may have the suitable bandgap for the absorption material, was able to control by means of filtering the precipitation in the source solution. |
| キーワード(和) | CIS / 同時電着 / 太陽電池 / 多元化合物半導体 / 薄膜 |
| キーワード(英) | CIS / One step electrodeposition / solar cells / multinary compound semiconductors / thin films |
| 資料番号 | CPM97-132 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1997/10/31(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電着法によるCIS系薄膜の堆積 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | One Step Electrodeposition of CIS Thin Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CIS / CIS |
| キーワード(2)（和/英） | 同時電着 / One step electrodeposition |
| キーワード(3)（和/英） | 太陽電池 / solar cells |
| キーワード(4)（和/英） | 多元化合物半導体 / multinary compound semiconductors |
| キーワード(5)（和/英） | 薄膜 / thin films |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 蔵之内 真一 / Shin'ichi KURANOUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中澤 達夫 / Tatsuo NAKAZAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長野工業高等専門学校 Nagano National College of Technology |
| 発表年月日 | 1997/10/31 |
| 資料番号 | CPM97-132 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 355 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |