| 講演名 | 1997/10/31 RFスパッタ法によるMo, ZnO薄膜の作製と評価 片桐 裕則, 瀬賀 寿幸, 渡邊 卓, |
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| 抄録(和) | RFスパッタ法により、Mo薄膜・ZnO薄膜を作製し、太陽電池応用の観点から各種の評価を行った。Mo薄膜では低抵抗率化とガラス基板への良好な付着性が要求される。既に報告されたJ. H. Scofieldらが提案する二層構造のMo薄膜が、これらの要求に対し有効であることを確認した。本手法で、厚さ1.0μmの付着性の良好なMo薄膜が得られ、その抵抗率は12.6μΩcmと十分に低い値であった。ZAO (ZnO+A12O3:1wt%) ターゲットによるZnO薄膜の製膜では、H2ガスをArガス中に導入することで抵抗率が著しく減少した。さらに、ZnO薄膜成膜直後の水素アニール処理が、抵抗経時変化の抑制に極めて有効であることを確認した。 |
| 抄録(英) | By using an RF sputtering technique, we prepared Mo and ZnO thin films and evaluated them from the standpoint of application to solar cell. Mo and ZnO thin films are commonly used as a back contact and a window layer of a solar cell device respectively. As a back contact, Mo thin film should have a low resistivity and a strong adhesion. We confirmed that Mo bilayer films reported by J. H. Scofield satisfy these conditions. We succeeded to prepare 1.0μm thick Mo film with resistivity of 12.6μΩcm, which passed the tape-pull-test for adhesion. For the ZnO thin films, the resistivity were drastically decreased by the addition of H2-gas to the sputtering gas (Ar). Furthermore, we confirmed that an annealing in H2 atmosphere just after deposition were quite effective to suppress the temporal change of resistivity of the ZnO thin films. |
| キーワード(和) | Mo薄膜 / ZnO薄膜 / 太陽電池素子 / 下部電極 / 窓層 / 水素アニール |
| キーワード(英) | Mo thin films / ZnO thin films / solar cell device / back contact / window layer / H2-gas annealing |
| 資料番号 | CPM97-131 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1997/10/31(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RFスパッタ法によるMo, ZnO薄膜の作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation and Evaluation of Mo and ZnO Films Deposited by R. F. Sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Mo薄膜 / Mo thin films |
| キーワード(2)（和/英） | ZnO薄膜 / ZnO thin films |
| キーワード(3)（和/英） | 太陽電池素子 / solar cell device |
| キーワード(4)（和/英） | 下部電極 / back contact |
| キーワード(5)（和/英） | 窓層 / window layer |
| キーワード(6)（和/英） | 水素アニール / H2-gas annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 片桐 裕則 / Hironori Katagiri |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校 電気工学科 Department of Electrical Engineering, Nagaoka National College of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 瀬賀 寿幸 / Toshiyuki Sega |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校 電気工学科 Department of Electrical Engineering, Nagaoka National College of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 渡邊 卓 / Taku Watanabe |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校 電気工学科 Department of Electrical Engineering, Nagaoka National College of Technology |
| 発表年月日 | 1997/10/31 |
| 資料番号 | CPM97-131 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 355 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |