| 講演名 | 1997/10/31 CuGaS_2薄膜の配向評価 大石 耕一郎, 小林 敏志, 太田 新一, 坪井 望, 金子 双男, |
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| 抄録(和) | 三元蒸着法で (100)Si, GaAs及びGaP基板上にCuGaS_2薄膜を同一条件で成長し、それぞれをRHEEDパターンから結晶学的に比較した。評価には、X線回折パターンで[001]配向 (c-軸配向) しか示さない試料を使用した。(100)Si基板上に成長した試料では、c-軸配向の他に2種類の<100>配向 (a-軸配向) と4種類の{112}双晶が存在していることを確認した。(100)GaAs及びGaP基板上に成長しだ試料では、a-軸配向が完全に抑えられ、Si基板上に成長した膜よりも結晶性が改善されることがわかったが、c-軸配向結晶の他に2種類の{112}双晶が存在していた。 |
| 抄録(英) | CuGaS_2 films have been grown on (100)Si, GaAs and GaP wafers under the same conditions by the vacuum evaporation technique. In the X-ray diffraction analysis, all of samples used in this study showed that they were [001]-oriented (c-axis growth) films. However, the RHEED patterns of the films grown on (100)Si indicated that there were growth modes of the c-axis growth and two types of the <100> direction growth (the a-axes growths). In addition, there were four types of the {112} twins in them. The investigated orientations of the films grown on (100) GaAs or GaP were the c-axis growth and two types of the {112} twins, therefore, crystallographic qualities were improved as compared with that of the films grown on (100)Si. |
| キーワード(和) | CuGaS_2 / カルコパイライト形化合物 / RHEED / X線回折 / エピタキシャル成長 |
| キーワード(英) | CuGaS_2 / chalcopyrite compounds / RHEED / X-ray diffraction / epitaxial growth |
| 資料番号 | CPM97-126 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1997/10/31(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CuGaS_2薄膜の配向評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Orientational characterization of CuGaS_2 thin films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CuGaS_2 / CuGaS_2 |
| キーワード(2)（和/英） | カルコパイライト形化合物 / chalcopyrite compounds |
| キーワード(3)（和/英） | RHEED / RHEED |
| キーワード(4)（和/英） | X線回折 / X-ray diffraction |
| キーワード(5)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大石 耕一郎 / Koichiro OISHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校 Nagaoka National College of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小林 敏志 / Satoshi KOBAYASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 太田 新一 / Shin-ichi OHTA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本精機株式会社R&Dセンター R&D Center, Nippon Seiki Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 坪井 望 / Nozomu TSUBOI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 金子 双男 / Futao KANEKO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 発表年月日 | 1997/10/31 |
| 資料番号 | CPM97-126 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 355 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |