| 講演名 | 1997/10/31 SiO_2上のCu配線におけるNb介在層の適用 坂上 正和, 武山 真弓, 野矢 厚, |
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| 抄録(和) | Cu/SiO_2 (/Si) 間の付着力向上とCu拡散防止のための介在層としてNb簿膜の適用を検討した。Nbは堆積時にNb/SiO_2界面でSiO_2を還元すること、及びこの反応は750℃までは、それ以上進行しないことがわかった。一方、熱処理によりCuを通したNbの試料表面への拡散と、Nb中へのCuのわずかな拡散が認められたが、良好な付着力を得ることができ、かつある程度熱的に安定性が得られる介在層となることがわかった。 |
| 抄録(英) | Thin Nb film is examined as a diffusion barrier and an adhesion-promoting layer between Cu and SiO_2. Partial reduction of SiO_2 and oxidation of Nb are confirmed at the Nb/SiO_2 interface, which does not proceed due to annealing at 750℃. Althogh the diffusion of Nb through the Cu layer and Cu diffusion into the Nb barrier also take place, the Nb film is an excellent candidate as an interlayer between Cu and SiO_2. |
| キーワード(和) | Cu配線 / 介在層 / 酸化還元反応 / 熱的安定性 |
| キーワード(英) | Cu metallization / interlayer / oxidation-reduction reaction / thermal stability |
| 資料番号 | CPM97-122 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1997/10/31(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiO_2上のCu配線におけるNb介在層の適用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Application of Nb film as an interlayer between Cu and SiO_2 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu配線 / Cu metallization |
| キーワード(2)（和/英） | 介在層 / interlayer |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化還元反応 / oxidation-reduction reaction |
| キーワード(4)（和/英） | 熱的安定性 / thermal stability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 坂上 正和 / Masakazu SAKAGAMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi TAKEYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学工学部電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Kitami Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1997/10/31 |
| 資料番号 | CPM97-122 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 355 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |