| 講演名 | 1997/10/31 DMCSを用いたトライオードプラズマCVD法による空間的アフターグロープラズマの最適化と結晶SiC膜の低温成長 木村 雅秀, 安井 寛治, 赤羽 正志, |
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| 抄録(和) | 水素で希釈したジメチルクロロシランを原料に用い、トライオードプラズマCVD法により600℃の低温でSi基板上にSiC結晶を成長させた。空間的アフターグロー領域の電子温度、空間電位等のプラズマパラメータを高周波対応のラングミューアプローブを用いて測定し、グリッドバイアスによるそれらの特性を調べると共に、得られたSiC膜の結晶性との相関を調べた。グリッド負バイアス時、アフターグロー領域の電子温度は約2eVと低く、さらにグリッドにバイパスコンデンサを接続し、アフターグロー領域の空間電位の時間的変動を抑制することで、約0.2eVまで低温化できた。このような低電子温度環境下で結晶質のSiC膜が得られた。また、水素希釈率が高いほど原料からの塩素原子の取り込み量が少なく、膜中の過剰な炭素の引き抜きも効果的に行われることが分かった。 |
| 抄録(英) | Crystalline SiC films were grown at low temperatures by triode plasma CVD using dimethylchlorosilane diluted with hydrogen as the source gas. Influences of the grid bias on the electron temperature in the afterglow plasma region, and on the properties of the SiC films such as crystallinity, and composition were investigated. Under negative grid bias conditions, the electron temperature in the afterglow region became about 2eV and the ion sheath potential became about 1V. By the addition of the bypass condensers between the grid electrode and grounded chamber, the electron temperature in the afterglow plasma region further decreased to about 0.2eV under a negative grid bias. The crystallinity of the SiC films grown under low electron temperatures and low ion sheath potentials in the afterglow plasma region was remarkably improved and the composition of the films became stoichiometric. |
| キーワード(和) | 炭化珪素 / トライオードプラズマCVD / 電子温度 / 空間電位 |
| キーワード(英) | silicon carbide / triode plasma CVD / electron temperature / plasma space potential |
| 資料番号 | CPM97-120 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1997/10/31(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | DMCSを用いたトライオードプラズマCVD法による空間的アフターグロープラズマの最適化と結晶SiC膜の低温成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Temperature Growth of Crystalline SiC Films and Optimization of Spatial Afterglow Plasma by Triode Plasma CVD Using Dimethylchlorosilane |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 炭化珪素 / silicon carbide |
| キーワード(2)（和/英） | トライオードプラズマCVD / triode plasma CVD |
| キーワード(3)（和/英） | 電子温度 / electron temperature |
| キーワード(4)（和/英） | 空間電位 / plasma space potential |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 木村 雅秀 / Masahide KIMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 工学部 電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 安井 寛治 / Kanji YASUI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 工学部 電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 赤羽 正志 / Tadashi AKAHANE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 工学部 電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 1997/10/31 |
| 資料番号 | CPM97-120 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 355 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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