| 講演名 | 1997/10/31 スタック型準一次元超伝導量子細線デバイスの作製と特性評価 斉藤 敦, 笹沼 拓也, 中原 成稔, 濱崎 勝義, |
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| 抄録(和) | 選択性ニオブ陽極酸化法 (SNAP) を用いたスタック型超伝導体-constrictions-超伝導体 (S-c-S) メソスコピックデバイスの作製法と特性について報告する。S-c界面のクリーン度を保つために、同一真空中においてNb/Al_2O_3多層膜を連続成膜した。デバイスの準粒子特性はAndreev反射モデルを用いて良く説明でき、S-c界面はBlonder. Tinkham. Klapwijk (BTK) 理論 [Phys. Rev. B25. 4515 (1982)] の範囲内で電子波の散乱ポテンシャルのない電気的にクリーンなものであることがわかった。S-c-Sシリーズアレイの準粒子特性が、1つのS-c-SコンタクトのBTKモデルで説明できたことは、アレイ中の各constrictionの特性が大体同じであることを示している。 |
| 抄録(英) | We report the fabrication and characterization of stack-type superconductor-constrictions-superconductor (S-c-S) mesoscopic devices using selective niobium anodization process (SNAP). To keep clean S-c interfaces, we use the sequentially deposited Nb/Al_2O_3 multilayer in a single vacuum run. The quasiparticle characteristics of these S-c-S devices is well explained by single-Andreev reflection model. We found that in the framework of Blonder, Tinkham and Klapwijk (BTK) theory [Phys. Rev. B25. 4515 (1982)] the stack-type S-c-S devices had electrically clean S-c interfaces with no scattering potential. The quasiparticle characteristics of series S-c-S array agrees with the BTK model for an S-c-S contact. This result suggests that the quasiparticle characteristics of each S-c-S contact in the series array is nearly the same. |
| キーワード(和) | 超伝導量子細線 / スタック型S-c-Sメソスコピックデバイス / SNAP / 準粒子特性 / Andreev反射 |
| キーワード(英) | superconducting quantum-wire / stack-type S-c-S mesoscopic device / SNAP / quasiparticle characteristic / Andreev reflection |
| 資料番号 | CPM97-118 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1997/10/31(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スタック型準一次元超伝導量子細線デバイスの作製と特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and characterization of stack-type superconducting quasi-one-dimensional quantum-wire devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 超伝導量子細線 / superconducting quantum-wire |
| キーワード(2)（和/英） | スタック型S-c-Sメソスコピックデバイス / stack-type S-c-S mesoscopic device |
| キーワード(3)（和/英） | SNAP / SNAP |
| キーワード(4)（和/英） | 準粒子特性 / quasiparticle characteristic |
| キーワード(5)（和/英） | Andreev反射 / Andreev reflection |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 斉藤 敦 / Atsushi Saito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 笹沼 拓也 / Takuya Sasanuma |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中原 成稔 / Narutoshi Nakahara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 濱崎 勝義 / Katsuyoshi Hamasaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 1997/10/31 |
| 資料番号 | CPM97-118 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 355 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |