| 講演名 | 1997/10/9 InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス 成川 幸男, 川上 養一, 藤田 静雄, 藤田 茂夫, 中村 修二, |
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| 抄録(和) | In_<0.20>Ga_<0.80>N(3nm)/In_<0.05>Ga_<0.95>N(6nm)多重量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクスを、20Kにおいて高出力フェムト秒パルスレーザを用いた時間分解フォトルミネセンス(TRPL)、光ポンプ測定によりいて評価した。励起光強度の増大にともない、自然放出光は約50meVブルーシフトし、しきい値14μJ/cm^2で、2.990eVにおいて誘導放出が起こった。その発光ダイナミクスを評価したところ、誘導放出時の再結合寿命は14psと超高速な過程であった。このことから、InGaN系レーザーにおいても、ピコ秒パルスレーサーの作製が可能であることが初めて示された。 |
| 抄録(英) | Dynamical behavior of radiative recombination has been assessed in the In_<0.20>Ga_<0.80>N(3nm)/In_<0.05>Ga_<0.95>N(6nm) multiple quantum well (MQW) structure by time-resolved photoluminescence (TRPL) spectroscopy and photopumping measurement using femto-second high-power laser system at 20K. If the excitation intensity is raised above the threshold (14μJ/cm^2), stimulated emission appeared at 2.990eV which is located at high energy side of the main spontaneous emission band about 50meV. The fast recombination lifetime was as low as under stimulated process. This indicates for the first time that it is possible to realize pico-second pulse laser using InGaN-based laser diodes. |
| キーワード(和) | InGaN / 量子井戸 / 時間分解フォトルミネセンス / 自己形成量子ドット / 誘導放出 |
| キーワード(英) | InGaN / quantum well / time-resolved photoluminescence / self-formed quantum dot / stimulated emission |
| 資料番号 | CPM97-106-115 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1997/10/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Recombination dynamics of InGaN quantum wells under high-power laser excitation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 量子井戸 / quantum well |
| キーワード(3)（和/英） | 時間分解フォトルミネセンス / time-resolved photoluminescence |
| キーワード(4)（和/英） | 自己形成量子ドット / self-formed quantum dot |
| キーワード(5)（和/英） | 誘導放出 / stimulated emission |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 成川 幸男 / Y. Narukawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川上 養一 / Y. Kawakami |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤田 静雄 / Sz. Fujita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤田 茂夫 / Sg. Fujita |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中村 修二 / S. Nakamura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日亜化学工業 Department of Research and Development, Nichia Chemical Industries Ltd. |
| 発表年月日 | 1997/10/9 |
| 資料番号 | CPM97-106-115 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 307 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |