| 講演名 | 1997/10/9 減圧MOCVD法により成長した歪み緩和されたInGaNのボーイングパラメータ 石田 昌宏, 橋本 忠朗, 寺越 喜多美, 今藤 修, 油利 正昭, 吉川 昭男, 伊藤 国雄, 杉野 隆, |
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| 抄録(和) | 減圧MOCVD法を用いて、GaN(0001)/Al_2O_3(0001)上にInGaNを成長させ、X線回折およびフォトルミネッセンスにより組成の評価を行った。X線回折の逆格子マッピングを用いた評価では、GaNとInGaNのピークが(1120), (0001)方向ともにずれており、InGaNは完全に歪みが緩和した状態で成長していることがわかった。フォトルミネッセンス測定における発光ピークとX線回折より求めたIn組成比の関係より、最小2乗近似で求めた、歪み緩和されたInGaNの室温におけるボーイングパラメータは4.1eVであることがわかった。 |
| 抄録(英) | InGaN films were grown on GaN/Al_2O_3 by low pressure MOCVD and characterized by reciprocal space mapping of X-ray diffraction and photoluminescence measurement. The reciprocal space mapping of X-ray diffraction revealed that the strain in the InGaN films were fully relaxed. From the compositional dependence of the photoluminescence peak energy, the bowing parameter of unstrained InGaN is found to be 4.1eV at room temperature. |
| キーワード(和) | InGaN / 減圧MOCVD法 / 歪み / 逆格子マッピング / ボーイングパラメータ |
| キーワード(英) | InGaN / low pressure MOCVD / strain / reciprocal space mapping / bowing parameter |
| 資料番号 | CPM97-106-115 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1997/10/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 減圧MOCVD法により成長した歪み緩和されたInGaNのボーイングパラメータ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Bowing Parameter of Unstrained InGaN Grown by Low Pressure MOCVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 減圧MOCVD法 / low pressure MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | 歪み / strain |
| キーワード(4)（和/英） | 逆格子マッピング / reciprocal space mapping |
| キーワード(5)（和/英） | ボーイングパラメータ / bowing parameter |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石田 昌宏 / M. Ishida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所 Electronics Research Laboratory Matsushita Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 橋本 忠朗 / T. Hashimoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所 Electronics Research Laboratory Matsushita Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 寺越 喜多美 / Y. Terakoshi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学 工学部 Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 今藤 修 / O. Imafuji |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所 Electronics Research Laboratory Matsushita Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 油利 正昭 / M. Yuri |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所 Electronics Research Laboratory Matsushita Electronics Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 吉川 昭男 / A. Yoshikawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所 Electronics Research Laboratory Matsushita Electronics Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 伊藤 国雄 / K. Itoh |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所 Electronics Research Laboratory Matsushita Electronics Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 杉野 隆 / T. Sugino |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 大阪大学 工学部 Osaka University |
| 発表年月日 | 1997/10/9 |
| 資料番号 | CPM97-106-115 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 307 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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