講演名 | 1997/10/9 サファイアc面上にECR-MBE成長したGaNの構造変化 清水 有威, 冨成 達也, 北東 慎吾, 千葉 恭男, 名西 徳之, |
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抄録(和) | サファイアc面上にECR-MBE法を用いてGaNの結晶成長を行った。サファイアc面上のGaNは安定相である六方晶で成長しやすいことはよく知られている。しかし、基板温度、V/III比などの成長条件を変化させることにより準安定相の立方晶で成長することも可能である。本成長法において、イオン照射ダメージ除去のために印加する基板バイアスによっても結晶構造の変化が見られた。 |
抄録(英) | GaN epilayers were grown on (0001) sapphire by electron cyclotron resonance plasma excited molecular beam epitaxy (ECR-NBE). Hexagonal GaN which is a stable phase of GaN tends to grow on the sapphire c-face preferentially. It is also known, however, that cubic GaN grows on the same substrate when growth conditions such as temperature and V/III ratio are selected. In this letter, we report structural change due to substrate bias voltage which is applied to suppress the ion induced damages. |
キーワード(和) | ECR-MBE / 立方晶GaN / 六方晶GaN / V/III比 / 基板バイアス |
キーワード(英) | ECR-MBE / cubic GaN / hexagonal GaN / V/III ratio / substrate bias |
資料番号 | CPM97-106-115 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 1997/10/9(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | サファイアc面上にECR-MBE成長したGaNの構造変化 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Structure dependence of GaN grown on Al_2O_3 c-face by ECR-MBE |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | ECR-MBE / ECR-MBE |
キーワード(2)(和/英) | 立方晶GaN / cubic GaN |
キーワード(3)(和/英) | 六方晶GaN / hexagonal GaN |
キーワード(4)(和/英) | V/III比 / V/III ratio |
キーワード(5)(和/英) | 基板バイアス / substrate bias |
第 1 著者 氏名(和/英) | 清水 有威 / Yuui Shimizu |
第 1 著者 所属(和/英) | 立命館大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 冨成 達也 / Tatsuya Tominari |
第 2 著者 所属(和/英) | 立命館大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 北東 慎吾 / Shingo Hokuto |
第 3 著者 所属(和/英) | 立命館大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 千葉 恭男 / Yasuo Chiba |
第 4 著者 所属(和/英) | 立命館大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 名西 徳之 / Yasushi Nanishi |
第 5 著者 所属(和/英) | 立命館大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
発表年月日 | 1997/10/9 |
資料番号 | CPM97-106-115 |
巻番号(vol) | vol.97 |
号番号(no) | 307 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |