講演名 1997/10/9
サファイアc面上にECR-MBE成長したGaNの構造変化
清水 有威, 冨成 達也, 北東 慎吾, 千葉 恭男, 名西 徳之,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) サファイアc面上にECR-MBE法を用いてGaNの結晶成長を行った。サファイアc面上のGaNは安定相である六方晶で成長しやすいことはよく知られている。しかし、基板温度、V/III比などの成長条件を変化させることにより準安定相の立方晶で成長することも可能である。本成長法において、イオン照射ダメージ除去のために印加する基板バイアスによっても結晶構造の変化が見られた。
抄録(英) GaN epilayers were grown on (0001) sapphire by electron cyclotron resonance plasma excited molecular beam epitaxy (ECR-NBE). Hexagonal GaN which is a stable phase of GaN tends to grow on the sapphire c-face preferentially. It is also known, however, that cubic GaN grows on the same substrate when growth conditions such as temperature and V/III ratio are selected. In this letter, we report structural change due to substrate bias voltage which is applied to suppress the ion induced damages.
キーワード(和) ECR-MBE / 立方晶GaN / 六方晶GaN / V/III比 / 基板バイアス
キーワード(英) ECR-MBE / cubic GaN / hexagonal GaN / V/III ratio / substrate bias
資料番号 CPM97-106-115
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 1997/10/9(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) サファイアc面上にECR-MBE成長したGaNの構造変化
サブタイトル(和)
タイトル(英) Structure dependence of GaN grown on Al_2O_3 c-face by ECR-MBE
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ECR-MBE / ECR-MBE
キーワード(2)(和/英) 立方晶GaN / cubic GaN
キーワード(3)(和/英) 六方晶GaN / hexagonal GaN
キーワード(4)(和/英) V/III比 / V/III ratio
キーワード(5)(和/英) 基板バイアス / substrate bias
第 1 著者 氏名(和/英) 清水 有威 / Yuui Shimizu
第 1 著者 所属(和/英) 立命館大学大学院理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Ritsumeikan University
第 2 著者 氏名(和/英) 冨成 達也 / Tatsuya Tominari
第 2 著者 所属(和/英) 立命館大学大学院理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Ritsumeikan University
第 3 著者 氏名(和/英) 北東 慎吾 / Shingo Hokuto
第 3 著者 所属(和/英) 立命館大学大学院理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Ritsumeikan University
第 4 著者 氏名(和/英) 千葉 恭男 / Yasuo Chiba
第 4 著者 所属(和/英) 立命館大学大学院理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Ritsumeikan University
第 5 著者 氏名(和/英) 名西 徳之 / Yasushi Nanishi
第 5 著者 所属(和/英) 立命館大学大学院理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Ritsumeikan University
発表年月日 1997/10/9
資料番号 CPM97-106-115
巻番号(vol) vol.97
号番号(no) 307
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日