| 講演名 | 1997/10/9 III-N系半導体の深い準位の理論 : GaN/AlN系は、電子デバイスとして「もの」になるか? 山口 栄一, |
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| 抄録(和) | III-N系半導体が電子デバイスとしても「もの」になるか否か? このことを、深い準位の理論の立場から調べた。計算の結果、どの窒化物半導体においても深いドナー準位はバンドギャップ中に現れないことが分かった。このことは、GaN/AlN系が電子デバイス用材料として極めて有望であることを示唆する。さらに、GaNにおいてはN欠陥が作る局在s準位が伝導帯端直下に出現すること、この局在準位はIn_xGa_<1-x>Nにおいてはxの増大とともに浅くなり、ついに伝導帯と共鳴することが分かった。この理論結果は、In_xGa_<1-x>Nにおいて観測される異常な光学的性質を良く説明した。 |
| 抄録(英) | Band structures and deep levels are calculated for both the cubic and hexagonal nitride semiconductors, using the empirical Green's function technique. As a result, localized deep donor states are predicted not to appear in the band-gap for any nitride semiconductors. It suggests that GaN/AlN systems have affluent and important feasibility for electronic devices. Furthermore, it is predicted that an anti-bonding s-like state produced by nitrogen vacancy appears just below the conduction-band (CB) edge for GaN, which gets shallower and then resonant with the CB for In_xGa_<1-x>N with In content (x). The theoretical results can provide a new and consistent model for explaining anomalous optical properties in nitride semiconductors. |
| キーワード(和) | 窒化物半導体 / 深いドナー準位 / グリーン関数法 / 窒素欠陥 / 光学異常 / 電子デバイス |
| キーワード(英) | Nitride semiconductors / Deep donor level / Green's function method / Nitride vacancy |
| 資料番号 | CPM97-106-115 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1997/10/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | III-N系半導体の深い準位の理論 : GaN/AlN系は、電子デバイスとして「もの」になるか? |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theory of Deep Levels in III-N Semiconductors Can GaN/AlN Systems be 'something' for electronic devices? |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride semiconductors |
| キーワード(2)（和/英） | 深いドナー準位 / Deep donor level |
| キーワード(3)（和/英） | グリーン関数法 / Green's function method |
| キーワード(4)（和/英） | 窒素欠陥 / Nitride vacancy |
| キーワード(5)（和/英） | 光学異常 |
| キーワード(6)（和/英） | 電子デバイス |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 栄一 / Eiichi YAMAGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 発表年月日 | 1997/10/9 |
| 資料番号 | CPM97-106-115 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 307 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |