| 講演名 | 1997/10/9 電子デバイス用材料としてのIII族窒化物半導体 天野 浩, 曽田 茂稔, 竹内 哲也, 小林 正和, 赤崎 勇, Burm J., Schaff W. J., Eastman L. F., |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaNヘテロ接合界面に誘発される自由電子の起源について検討を行い、AlGaNの歪みによるピエゾ電界の影響が大きいことを示した。また、AlGaN/GaN系変調ドープ構造を試作し、RF特性として電流利得遮断周波数f_r=21.37GHz、最大発振周波数f_ |
| 抄録(英) | Electrons at the interface between undoped AlGaN and GaN was found to be induced by the piezoelectric field due to the strain of AlGaN film. AlGaN/GaN modulation doped field effect transistor was fabricated. It showed good RF characteristics, with f_r=21.37GHz and f_ |
| キーワード(和) | AlGaN/GaNヘテロ接合 / MODFET / ピエゾ電界効果 / 低温堆積緩衝層 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN heterostructure / MODFET / Piezoelectricity / Low temperature buffer layer |
| 資料番号 | CPM97-106-115 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1997/10/9(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電子デバイス用材料としてのIII族窒化物半導体 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Group III nitride semiconductors as electronic materials |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaNヘテロ接合 / AlGaN/GaN heterostructure |
| キーワード(2)（和/英） | MODFET / MODFET |
| キーワード(3)（和/英） | ピエゾ電界効果 / Piezoelectricity |
| キーワード(4)（和/英） | 低温堆積緩衝層 / Low temperature buffer layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / H. Amano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 曽田 茂稔 / S. Sota |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹内 哲也 / T. Takeuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小林 正和 / M. Kobayashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Meijo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / I. Akasaki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | Burm J. / J. Burm |
| 第 6 著者 所属（和/英） | Department Electrical Engineering, Cornell University Department of Electrical Engineering, Cornell University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | Schaff W. J. / W. J. Schaff |
| 第 7 著者 所属（和/英） | Department Electrical Engineering, Cornell University Department of Electrical Engineering, Cornell University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | Eastman L. F. / L. F. Eastman |
| 第 8 著者 所属（和/英） | Department Electrical Engineering, Cornell University Department of Electrical Engineering, Cornell University |
| 発表年月日 | 1997/10/9 |
| 資料番号 | CPM97-106-115 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 307 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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