| 講演名 | 1997/10/9 電子波位相コヒーレンス評価のためのGaInAs/InP共鳴トンネルダイオード作製と特性解析 大保 崇, 須原 理彦, 宮本 恭幸, 古屋 一仁, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 半導体中での電子波の位相コヒーレンス評価に向け、共鳴トンネルダイオード(RTD)の作製とその特性の解析をおこなった。電子波の位相コヒーレンスは、RTDの共鳴準位の広がり(ΔE)から評価できる。2重障壁RTD(DBRTD)を用いて、電極層不純物がみかけのΔEを広げる影響について調べた。作製したDBRTDの特性を解析した結果、RTDのバリアと電極層との間に挿入するスペーサ層を厚くすることによって、この影響を削減できることを明らかにした。また、3重障壁RTD(TBRTD)を用いて位相コヒーレンスの温度による影響の評価を試みた。温度が高くなるにつれ共鳴時の電流密度-電圧特性のピーク形状に広がりが生じる結果が得られた。これは温度によってΔEが広がりを持つ可能性を示している。 |
| 抄録(英) | Toward the estimation of phase coherent length (L) of electrons a semiconductor, fabrication and characterization of GaInAs/InP resonant tunneling diodes (RTDs) were performed. L_C can be estimated from the broadening of resonant energy level (ΔE) in RTDs. Using double-barrier RTDs (DBRTDs), effect of impurity ions in the electrode on excess broadening of ΔE was studied. Characteristics of fabricated DBRTDs were analyzed, and it appeared that sufficiently thick spacer layers suppressed this effect. Moreover, using triple-barrier RTDs (TBRTDs), temperature dependence of ΔE was studied. The peak shape of the measured current-voltage characteristics got broad with increased temperature. This result indicates ΔE depends on temperature. |
| キーワード(和) | 電子波位相コヒーレンス / 共鴫準位幅 / 共鳴トンネルダイオード / スペーサ層 / 不純物原子 / 温度 |
| キーワード(英) | phase coherent length / resonant tunneling diode / resonant level width / spacer layer / impurity ion / temperature |
| 資料番号 | CPM97-106-115 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 1997/10/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電子波位相コヒーレンス評価のためのGaInAs/InP共鳴トンネルダイオード作製と特性解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and Characterization of GaInAs/InP Resonant Tunneling Diodes Toward the Estimation of Phase Coherent Length of Electron Wave |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電子波位相コヒーレンス / phase coherent length |
| キーワード(2)（和/英） | 共鴫準位幅 / resonant tunneling diode |
| キーワード(3)（和/英） | 共鳴トンネルダイオード / resonant level width |
| キーワード(4)（和/英） | スペーサ層 / spacer layer |
| キーワード(5)（和/英） | 不純物原子 / impurity ion |
| キーワード(6)（和/英） | 温度 / temperature |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大保 崇 / Takashi Oobo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 工学部 電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 須原 理彦 / Michihiko Suhara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 量子効果エレクトロニクス研究センター Research Center for Quantum Effect Electronics |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 工学部 電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 古屋 一仁 / Kazuhito Furuya |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 工学部 電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1997/10/9 |
| 資料番号 | CPM97-106-115 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 307 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |