| 講演名 | 1997/10/9 表面マイグレーション制御自己停止成長によるAlGaAs/GaAs量子細線の原子層制御作製 王 学論, 小倉 睦郎, 松畑 洋文, |
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| 抄録(和) | 流量変調エピタキシーを用いた形状基板上へのGaAs成長において、GaAsの成長は特定の成長速度でGa原料の供給量に依存せず、自動的に停止する現象を見いだした。この新しい自己停止成長を利用することによって、パターンのサイズに多少揺らぎが存在した基板上においても、原子レベルで均一な量子細線、量子箱構造の作製が初めて可能となった。 |
| 抄録(英) | A new self-limited growth based on the control of surface migration of Ga atoms during flow rate modulation epitaxial growth of GaAs on patterned substrate is demonstrated. By the use of this new growth technique, atomically uniform semiconductor quantum wires and quantum dots are expected to be fabricated easily even on patterned substrate with large pattern size fluctuations. |
| キーワード(和) | 量子細線 / 量子箱 / GaAs / 原子レベルで均一 / 自己停止 / 流量変調エピタキシー |
| キーワード(英) | quantum wire / quantum dot / GaAs / atomically uniform / self-limited / flow rate modulation epitaxy |
| 資料番号 | CPM97-106-115 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1997/10/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 表面マイグレーション制御自己停止成長によるAlGaAs/GaAs量子細線の原子層制御作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Atomically Controlled Fabrication of AlGaAs/GaAs Quantum Wires Using Surface Migration Induced Self-Limited Growth |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子細線 / quantum wire |
| キーワード(2)（和/英） | 量子箱 / quantum dot |
| キーワード(3)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(4)（和/英） | 原子レベルで均一 / atomically uniform |
| キーワード(5)（和/英） | 自己停止 / self-limited |
| キーワード(6)（和/英） | 流量変調エピタキシー / flow rate modulation epitaxy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 王 学論 / Xue-Lun Wang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所電子デバイス部 Electrotechnical Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小倉 睦郎 / Mutsuo Ogura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所電子デバイス部 Electrotechnical Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松畑 洋文 / Hirofumi Matsuhata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所電子デバイス部 Electrotechnical Laboratory |
| 発表年月日 | 1997/10/9 |
| 資料番号 | CPM97-106-115 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 307 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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