| 講演名 | 1997/10/9 InAsP/InAlGaAs系量子井戸のGSMBE成長と評価 阿南 隆由, 徳留 圭一, 山田 みつき, 管生 繁男, |
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| 抄録(和) | GSMBE法を用いて高品質な歪InAsPを成長し、そのバンド構造を明らかにした。InAsP/InP伝導帯バンド不連続比は、従来報告されている値(0.75)よりもかなり小さく約0.35程度であった。そこで光加入者系1.3μm帯高温特レーザ用の新材料系としてInAsP/InAlGaAs量子井戸構造を提案し、InAlGaAsバリア層のAl組成を適切に選ぶことによりタイプI型超格子構造が実現できることを実証した。また、量子井戸の高品質化のため、InPスペーサ層導入と、GSMBE成長後のRTAを行い、大幅なPL強度改善およびLDの低開化を実現した。幅広ストライプレーザによる評価では、高温において良好なLD特性(T_o=116K)を実現した。 |
| 抄録(英) | High quality strained InAsP was grown using GSMBE and the band structure was determined. The conduction band discontinuity ratio of InAsP/InP heterostructure was about 0.35 contrary to the reported value of 0.75. We proposed a new InAsP/InAlGaAs material system with type I superlattice suitable for high performance LD of 1.3μm optical subscriber system. The crystal quality was improved by introducing a InP spacer layer and RTA process. High characteristic temperature of 116K was achieved with this material system. |
| キーワード(和) | InAsP / InAlGaAs / 伝導帯バンド不運続比 / 光加入者系 / RTA / 特性温度 |
| キーワード(英) | InAsP / InAlGaAs / band offset / optical subscriber system / RTA / characteristic temperature |
| 資料番号 | CPM97-106-115 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1997/10/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InAsP/InAlGaAs系量子井戸のGSMBE成長と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GSMBE growth and Characterization of InAsP/InAlGaAs MQWs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAsP / InAsP |
| キーワード(2)（和/英） | InAlGaAs / InAlGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | 伝導帯バンド不運続比 / band offset |
| キーワード(4)（和/英） | 光加入者系 / optical subscriber system |
| キーワード(5)（和/英） | RTA / RTA |
| キーワード(6)（和/英） | 特性温度 / characteristic temperature |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 阿南 隆由 / Takayoshi Anan |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC 光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 徳留 圭一 / Keiichi Tokutome |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC 光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山田 みつき / Mitsuki Yamada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC 光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 管生 繁男 / Sigeo Sugou |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC 光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1997/10/9 |
| 資料番号 | CPM97-106-115 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 307 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
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