| 講演名 | 1997/10/9 GaAs(N11)基板上GaP/InP短周期超格子中に自己形成された量子ドットの光学特性の改善 金 成珍, 朝日 一, 武本 美紀, 浅見 久美子, 筆田 麻祐子, 権田 俊一, |
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| 抄録(和) | GaAs(11)基板上GaP/InP超格子(SL)InGaP多層構造中に自己形成された量子ドット(MQDs)構造についてSL周期数(P)とInGaP障壁層の厚さ(B)を系統的に変えて光学特性を調べた。PL(photoluminescence)ピークエネルギーはPを減らすと成長方向の量子サイズ効果により、高エネルギー側に移動する。PL半値幅の広がはPとBを減らすことにより抑えられた。これらの改善はQDs中のポテンシャルのばらつきの減少と成長方向の量子閉じ込め効果の増大、QDs間の縦方向のカプリングによる量子閉じ込め効果の増大によるものである。これらのMQDsから極めて小さいPLピークの温度変化が観測された。これはMQDs中で多重応力が存在しているためである。GaP/InP SL/InGaP MQDs-LED構造は優れたEL(electroluminescence)特性を示した。 |
| 抄録(英) | Optical properties of multilayer quantum dots (MQDs) self-formed in the GaP/InP short period superlattice (SL)/InGaP multilayer structures are investigated by changing SL period (P) and InGaP barrier thickness (B). By decreasing P, photoluminescence (PL) peak energy shifts toward higher energy due to quantum size effect along the growth direction (vertical direction). PL peak broadening with temperature is reduced by decreasing P and B. This improvement is attributed to the reduction of potential distribution among QDs and the enhancement of quantum confinement along the vertical direction, and to the enhancement of quantum confinement due to the vertical coupling effect between QDs. Very small temperature variation of PL peak energy is observed in these MQDs which comes from the existence of the multiaxial strains for the MQDs. The MQDs LED structure shows the excellent electroluminescence(EL) properties. |
| キーワード(和) | 量子ドット / 自己組織化 / GaP/InP短周期超格子 / PL / TEM / LED |
| キーワード(英) | quantum dot / self-organization / GaP/InP superlattice / PL / TEM / LED |
| 資料番号 | CPM97-106-115 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1997/10/9(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs(N11)基板上GaP/InP短周期超格子中に自己形成された量子ドットの光学特性の改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of optical properties of strain-induced quantum dots self-formed in GaP/InP short period superlattices grown on GaAs(N11) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / quantum dot |
| キーワード(2)（和/英） | 自己組織化 / self-organization |
| キーワード(3)（和/英） | GaP/InP短周期超格子 / GaP/InP superlattice |
| キーワード(4)（和/英） | PL / PL |
| キーワード(5)（和/英） | TEM / TEM |
| キーワード(6)（和/英） | LED / LED |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金 成珍 / S.J. Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 Osaka. Univ. ISIR |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 朝日 一 / H. Asahi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 Osaka. Univ. ISIR |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 武本 美紀 / M. Takemoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 Osaka. Univ. ISIR |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 浅見 久美子 / Fudeta M. / |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 Osaka. Univ. ISIR |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 筆田 麻祐子 / S. Gonda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 Osaka. Univ. ISIR |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 権田 俊一 |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 Osaka. Univ. ISIR |
| 発表年月日 | 1997/10/9 |
| 資料番号 | CPM97-106-115 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 307 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |