| 講演名 | 1997/10/8 AlInAs/GaInAs HEMTにおけるFの挙動と高温通電劣化への影響 山本 佳嗣, 早藤 紀生, 佐藤 和彦, |
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| 抄録(和) | AlInAs/GaInAs HEMT材料へのF混入に伴う電気的特性の劣化に関し, AlInAs中でのF混入によるドナーの不活性化機構を検討し, 従来のモデルに新たな反応を考慮することで実験値とよく合致することを示した. その結果をもとに, 混入したFがHEMTの電気的特性に及ぼす影響を調査し, 信頼性向上につながると考えられる手法として, 脱フッ素プロセスを用いて作製したHEMTおよび逆HEMT構造を試作した. 両手法とも信頼性向上効果が認められ, 特に, 逆HEMT構造においては125℃におけるMTTFで10^6時間以上の優れた結果を得た. |
| 抄録(英) | In order to elucidate the thermal degradation of AlInAs/GaInAs system, the fluorine behavior in n-AlInAs layer has been investigated. Based on the experimental results, we propose the donor passivation procedure in n-AlInAs layer with the new electrochemical reaction theory. The fluorine free device fabrication process and the inverted HEMT structure were examined for reliability improvement of the HEMT device. These approaches were extremely effective for reliability improvement. In particular, the inverted HEMT achieved over 10^6 hours MTTF at the temperature of 125℃. |
| キーワード(和) | AlInAs/GaInAs HEMT / 電気化学反応 / 高温通電劣化 / フッ素 |
| キーワード(英) | AlInAs/GaInAs HEMT / electrochemical reaction / bias-temperature degradation / fluorine |
| 資料番号 | CPM97-100-105 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1997/10/8(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlInAs/GaInAs HEMTにおけるFの挙動と高温通電劣化への影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fluorine behavior in AlInAs/InGaAs HEMT under bias temperature stresses |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlInAs/GaInAs HEMT / AlInAs/GaInAs HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 電気化学反応 / electrochemical reaction |
| キーワード(3)（和/英） | 高温通電劣化 / bias-temperature degradation |
| キーワード(4)（和/英） | フッ素 / fluorine |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山本 佳嗣 / Y. Yamamoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 早藤 紀生 / N. Hayafuji |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐藤 和彦 / K. Sato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 1997/10/8 |
| 資料番号 | CPM97-100-105 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 306 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |