| 講演名 | 1997/10/8 ICPを用いた反応性イオンエッチングによるInP2次元フォトニック結晶の作製 橋本 政幸, 羽立 等, 藤原 康文, 竹田 美和, 中野 博彦, 立田 利明, 辻 理, |
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| 抄録(和) | 誘導結合プラズマ(ICP)を用いた反応性イオンエッチングにより、InP 2次元フォトニック結晶を作製し、フーリエ変換赤外分光測定法の1種である高感度反射測定法(FTIR-RAS)により、光領域における反射率特性を調べた。試料の作製に先だって、フォトニックバンドギャップを理論計算により求めた。作製にあたり、SiO_2をマスク材としたりソグラフィーによりInP基板上にパターンを作製し、SiCl_4/Arをエッチングガスとして、6回対称の円形空洞を作製した。その際、N_2Oを微量に添加することで、InPのエッチングレートが僅かに上昇し、かつ垂直性が向上することが明らかになった。また、InPのエッチングレートとSiO_2に対する選択比はSiCl_4流量に強く依存することが分かった。試料の評価はFTIR-RAS法で行い、光領域において、開口径に依存した特徴的なスペクトルが観測された。 |
| 抄録(英) | We fabricated two-dimensional (2D) InP photonic band-gap crystals by reactive ion etching (RIE) with a SiCl_4/Ar inductively coupled plasma (ICP) chemistry, and characterized their reflective characteristics in the optical wavelength region by Fourier transformed infrared reflection absorption spectrometry (FTIR-RAS). Prior to fabrication of the periodic array of the air rods, the photonic band structure for electromagnetic waves was calculated theoretically in the sample structure and, was predicted to appear in the optical wavelength region. In the RIE with the SiCl_4/Ar ICP chemistry, we investigated systematically InP etch rate and the etch selectivity of InP over SiO_2 as functions of various etching parameters to fabricate deep air rods with a vertical profile. The effect of N_2O addition to the SiCl_4/Ar ICP chemistry was investigated and it was revealed that the addition of a small amount of N_2O results in the improvement in vertical profile with the slight increase in InP etch rate. The InP etch rate and the etch selectivity of InP over SiO_2 depended strongly on the SiCl_4 flow rate. In FTIR-RAS measurements, characteristic features were observed in the optical wavelength region, depending on the diameter of the air rods. |
| キーワード(和) | フォトニック結晶 / InP / RIE / ICP / FTIR-RAS法 |
| キーワード(英) | photonic band-gap crystal / InP / reactive ion etching / inductively coupled plasma / Fourier transformed infrared reflection absorption spectrometry |
| 資料番号 | CPM97-100-105 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1997/10/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ICPを用いた反応性イオンエッチングによるInP2次元フォトニック結晶の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Two-Dimensional InP Photonic Band-Gap Crystals by Reactive Ion Etching with Inductively Coupled Plasma |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フォトニック結晶 / photonic band-gap crystal |
| キーワード(2)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(3)（和/英） | RIE / reactive ion etching |
| キーワード(4)（和/英） | ICP / inductively coupled plasma |
| キーワード(5)（和/英） | FTIR-RAS法 / Fourier transformed infrared reflection absorption spectrometry |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 橋本 政幸 / M. Hashimoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部材料機能工学科 Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 羽立 等 / H. Hatate |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部材料機能工学科 Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤原 康文 / Y. Fujiwara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部材料機能工学科 Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹田 美和 / Y. Takeda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部材料機能工学科 Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中野 博彦 / H. Nakano |
| 第 5 著者 所属（和/英） | サムコインターナショナル研究所 R&D Center, SAMCO International Inc. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 立田 利明 / T. Tatsuta |
| 第 6 著者 所属（和/英） | サムコインターナショナル研究所 R&D Center, SAMCO International Inc. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 辻 理 / O. Tsuji |
| 第 7 著者 所属（和/英） | サムコインターナショナル研究所 R&D Center, SAMCO International Inc. |
| 発表年月日 | 1997/10/8 |
| 資料番号 | CPM97-100-105 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 306 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |