| 講演名 | 1997/10/8 ヘテロ層厚の異なるInP/InGaAs/InP構造中の組成分布のX線CTR散乱法による評価 濱松 宏武, 松本 信弘, 田渕 雅夫, 竹田 美和, |
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| 抄録(和) | 放射光を用いたCTR散乱の測定・解析により、従来困難であったIII-V族半導体ヘテロ界面での組成分布の1原子層単位での解析を行った。本研究では、OMVPE法で作製した、ヘテロ層厚の異なるInP/InGaAs/InP構造を対象とし、InP/InGaAs/InP構造の界面が急峻に形成されておらず、Ga、As原子の分布のピーク位置さえも一致していない可能性を示す結果を得た。 |
| 抄録(英) | X-ray CTR measurement using synchrotron radiation was conducted to analyze the compositional distribution at around heterointerfaces of III-V compound semiconductors in 1 mono-layer scale. The samples of InP/InGaAs(1～5ML)InP heterostructures grown by OMVPE were investigated. The obtained CTR spectra were analyzed by compareing them with computer simulated CTR spectra. The interfaces of InP/InGaAs/InP were shown not to be so abrupt as expected. Even for the group-III atoms were observed to interdiffuse across the interface. It was suggested that the peak positions of Ga and As distributions were not corresponded to each other. |
| キーワード(和) | X線CTR散乱法 / 界面構造 / InP/InGaAs/InP / イメージングプレート / 放射光 / OMVPE |
| キーワード(英) | X-ray CTR / interface structure / InP/InGaAs/InP / imaging plate / synchrotron radiation / OMVPE |
| 資料番号 | CPM97-100-105 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1997/10/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ヘテロ層厚の異なるInP/InGaAs/InP構造中の組成分布のX線CTR散乱法による評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of composition in InP/InGaAs/InP structure with different thicknesses of InGaAs layers by X-ray CTR scattering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | X線CTR散乱法 / X-ray CTR |
| キーワード(2)（和/英） | 界面構造 / interface structure |
| キーワード(3)（和/英） | InP/InGaAs/InP / InP/InGaAs/InP |
| キーワード(4)（和/英） | イメージングプレート / imaging plate |
| キーワード(5)（和/英） | 放射光 / synchrotron radiation |
| キーワード(6)（和/英） | OMVPE / OMVPE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 濱松 宏武 / H. Hamamatsu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate school of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松本 信弘 / N. Matsumoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate school of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田渕 雅夫 / M. Tabuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate school of Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹田 美和 / Y. Takeda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate school of Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 1997/10/8 |
| 資料番号 | CPM97-100-105 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 306 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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