| 講演名 | 1997/10/8 CBE成長におけるSiI_4ドーピング/エッチング機能 和泉 茂一, 早藤 紀生, 佐藤 和彦, |
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| 抄録(和) | CBE成長において4ヨウ化珪素(Silicon tetraiodide: SiI4)を用いた GaAs, InPへの新しいn型ドーピング方法を確立した. Si-GaAsのキャリア濃度はSiI4流量の増加に伴いリニアに増加し, GaAsでは2×10^<16>～6×10^<18>cm^<-3>の範囲で制御できる. またメモリー効果のない急峻なSiドーピング制御性と, その活性化率がSi-GaAs, InP中で100%であることを明らかにした. 更にSiI4はエッチングガスとしても作用し, GaAsのエッチング速度が数ML/min程度(基板温度: 500～600℃)であることも分かった. 以上の結果からSiI4はn型ドーピングガスのみではなく, エッチングガスとしても有効であり, その適用は新たなin-situ界面制御法としても期待される. |
| 抄録(英) | Silicon tetraiodide (SiI4) is successfully employed as a novel Si dopant in chemical beam epitaxy (CBE) of GaAs and InP. No precracking is necessary before supplying SiI4 with helium (He) carrier gas. High electrical quality is ascertained for both of GaAs and InP with linear Si doping controllability in the range from 2×10^<16> to 6×10^<18>cm^<-3>. Abrupt interfaces and precise on-off controllability without any memory effect are also confirmed by SIMS measurements. Electrical activation ratio of Si for both of GaAs and InP is almost 100% in the range studied here. SiI4 is also employed as an in-situ etchant in CBE. The etching rate of GaAs is about a few ML/min at 500～600℃. These versatile features suggest that the using SiI4 is a promising candidate as an in-situ process for CBE growth. |
| キーワード(和) | 4ヨウ化珪素(SiI4) / n型ドーパント / 化学ビームエピタキシー(CBE) / 選択成長 / 選択エッチング / in-situプロセス |
| キーワード(英) | silicon tetraiodide (SiI4) / n-type dopant / chemical beam epitaxy / selective growth / selective etching / in-situ process |
| 資料番号 | CPM97-100-105 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1997/10/8(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CBE成長におけるSiI_4ドーピング/エッチング機能 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Chemical beam epitaxial growth and etching of GaAs and InP by using silicon tetraiodide |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4ヨウ化珪素(SiI4) / silicon tetraiodide (SiI4) |
| キーワード(2)（和/英） | n型ドーパント / n-type dopant |
| キーワード(3)（和/英） | 化学ビームエピタキシー(CBE) / chemical beam epitaxy |
| キーワード(4)（和/英） | 選択成長 / selective growth |
| キーワード(5)（和/英） | 選択エッチング / selective etching |
| キーワード(6)（和/英） | in-situプロセス / in-situ process |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 和泉 茂一 / Shigekazu Izumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 早藤 紀生 / Norio Hayafuji |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐藤 和彦 / Kazuhiko Sato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 1997/10/8 |
| 資料番号 | CPM97-100-105 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 306 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |