| 講演名 | 1997/10/8 TBPを用いたOMVPE法によるEr添加GaPの成長と評価 伊藤 隆, 川本 武司, 藤原 康文, 竹田 美和, |
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| 抄録(和) | 有機V族原料であるターシャリブチルフォスフィン(tertiarybutylphosphine: TBP)を用いた有機金属気相エピタキシャル(organometallic vapor phase epitaxial: OMVPE)法によりEr添加GaPを成長し、成長条件が試料の諸特性に及ぼす影響について系統的に調べた。2次イオン質量分析(secondary ion mass spectroscopy: SIMS)測定の結果から、試料中のEr濃度はEr原料供給量により制御可能であることがわかった。4.2Kフォトルミネッセンス(Photoluminescence: PL)測定において、1.54μm帯でErの4f殻内遷移に起因する鋭い発光線(半値幅0.2meV-0.3meV)が多数観測され、発光線の相対強度は成長条件に強く依存した。このことは複数の異なるEr発光中心が試料中に共存することを示唆している。 |
| 抄録(英) | Er-doped GaP by organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE) with tertiarybutylphosphine (TBP) as a much less toxic P source have been investigated systematically. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) measurements confirmed a good controllability of Er concentration in the layer with the change of the H_2 flow rate through the Er source cylinder. In 4.2K photoluminescence (PL) measurements, Er-related luminescence has been obtained successfully in Er-doped GaP. The PL spectra exhibit tens of well-resolved sharp emission limes with the FWHM of 0.2-0.3meV. Their relative intensities exhibit apparent dependence on Er flow rate, growth temperature and reactor pressure, indicating that there are many kinds of Er luminescence centers, and that their relative concentrations depend on the growth conditions. |
| キーワード(和) | 希土類添加半導体 / Er / GaP / OMVPE / TBP |
| キーワード(英) | rare-earth-doped semiconductor / Er / GaP / OMVPE / TBP |
| 資料番号 | CPM97-100-105 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 1997/10/8(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TBPを用いたOMVPE法によるEr添加GaPの成長と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of Er-doped GaP by OMVPE with TBP and characterization |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 希土類添加半導体 / rare-earth-doped semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | Er / Er |
| キーワード(3)（和/英） | GaP / GaP |
| キーワード(4)（和/英） | OMVPE / OMVPE |
| キーワード(5)（和/英） | TBP / TBP |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 伊藤 隆 / T. Ito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川本 武司 / T. Kawamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤原 康文 / Y. Fujiwara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹田 美和 / Y. Takeda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 1997/10/8 |
| 資料番号 | CPM97-100-105 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 306 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |