| 講演名 | 1997/5/23 InSb基板中へのGa混入機構(II) 早川 泰弘, 大津 弘毅, 正木 みゆき, 高橋 克巳, 小山 忠信, 熊川 征司, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 液相成長法の装置を用いて、InSb基板にIn-Ga-Sb溶液を一定温度で接触させ、InSb結晶中へのGaの高速混入機構を調べた。溶液除去後のアニーリング時間が長い程、また冷却速度が遅い程、Ga組成比分布は平坦になった。In_<1-x>Ga_xSb形成領域においても、Gaが移動した。溶液-基板間ヘ電流バルスを導入すると、Ga混入領域にパルス縞が形成された。これは、Ga混入領域に固液が共存することを示唆した。高温顕微鏡によるGa混入の動的観察により、Ga混入は等方的ではなく、{111}面を形成しながら進行することや、In-Ga-Sb溶液が帯状にInSb基板中を移動することがわかった。 |
| 抄録(英) | Peameation mechanism of Ga into an InSb substrate was investigated. The permeation distance increased and Ga profiles were flattened by increasing the annealing period and by decreasing cooling rate. The pulse striations were formed in the layer by passing the elctric current pulses during contact of the soution and the substrate. This indicated that the solid-liquid phase coexisted in the layer. The direct observation of the Ga incorporation on an InSb substrate cleary showed that the {111} planes appeared at the front of the layer and InGaSb layer was formed after the movement of liquid belt. |
| キーワード(和) | インジウムアンチモン / ガリウム / 混入機構 / 固液共存 |
| キーワード(英) | InSb / Ga / permeation mechanism / solid-liquid coexist |
| 資料番号 | ED97-36,CPM97-24 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 1997/5/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InSb基板中へのGa混入機構(II) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The permeation mechanism of Ga into InSb (II) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | インジウムアンチモン / InSb |
| キーワード(2)（和/英） | ガリウム / Ga |
| キーワード(3)（和/英） | 混入機構 / permeation mechanism |
| キーワード(4)（和/英） | 固液共存 / solid-liquid coexist |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 早川 泰弘 / Y. Hayakawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大津 弘毅 / H. Ohtsu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 正木 みゆき / M. Masaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 石川島播磨重工業技術研究所 Research Institute of IHI |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高橋 克巳 / K. Takahashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 石川島播磨重工業技術研究所 Research Institute of IHI |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小山 忠信 / T. Koyama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 熊川 征司 / M. Kumagawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1997/5/23 |
| 資料番号 | ED97-36,CPM97-24 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 61 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |