| 講演名 | 1993/5/20 不確定要因による電子波散乱の影響を考慮した共鳴トンネル効果の回路論的取り扱い 大谷 直毅, 永井 信夫, 鈴木 正清, 三木 信弘, |
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| 抄録(和) | 共鳴トンネルダイオードの電流ピークの理論値と実験値との不一致は結晶中の不純物,フォノンなどの不確定要因による電子波散乱の影響と考えられており,その理論的な考察が盛んに行われている.このような現象に対して経路積分法を用いる簡易な定式化が報告されている.本稿では,その手法を筆者らが先に提案した複素等価回路に応用して回路論的な定式化を行う.電子波散乱の影響によって共鳴準位の透過確率が低下し,半値幅が広がることを数値計算によって示す.また,ピーク面積に関しても検討を行い,散乱のない理想状態との比較検討を行っている. |
| 抄録(英) | In this paper,we study scattering effect on resonant tunneling effect of double-barrier structure which is caused by some undecided factors,such as some impurities and phonons.In order to formulate the scattering effect,we apply Feynman path integral to complex-valued equivalent circuit.We do some numerical calculations by using the equivalent circuit to consider the scattering effect on resonant peak value and its peak area. |
| キーワード(和) | 共鳴トンネル効果 / 散乱の影響 / 経路積分法 / 複素等価回路 / 回路理論 |
| キーワード(英) | resonant tunneling effect / scattering effect / Feynman Path integral / complex-valued eguivalent circuit / network theory |
| 資料番号 | CAS93-5,VLD93-5,DSP93-15 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CAS |
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| 開催期間 | 1993/5/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Circuits and Systems (CAS) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 不確定要因による電子波散乱の影響を考慮した共鳴トンネル効果の回路論的取り扱い |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formulation of Scattering Effect on Resonant Tunneling Coused by Some Undecided Factors Based on Network Theory |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 共鳴トンネル効果 / resonant tunneling effect |
| キーワード(2)（和/英） | 散乱の影響 / scattering effect |
| キーワード(3)（和/英） | 経路積分法 / Feynman Path integral |
| キーワード(4)（和/英） | 複素等価回路 / complex-valued eguivalent circuit |
| キーワード(5)（和/英） | 回路理論 / network theory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大谷 直毅 / Naoki Ohtani |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electonic Science,Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 永井 信夫 / Nobuo Nagai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electonic Science,Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 正清 / Masakiyo Suzuki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Department of Electric and Electronics Engineering,Kitami Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三木 信弘 / Nobuhiro Miki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electonic Science,Hokkaido University |
| 発表年月日 | 1993/5/20 |
| 資料番号 | CAS93-5,VLD93-5,DSP93-15 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 33 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |