| 講演名 | 2000/7/19 等価端部電磁流によるエッジ回折の時間領域解析 BRUCKERT Elise, CUI Suomin, SAKINA Ken-ichi, ANDO Makoto, |
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| 抄録(和) | 任意形状高周波インパルスを入射波として、任意の曲率を持つ完全導体散乱体による電磁界の過渡散乱を解析するために、修正エッジ法の端部電磁流を用いた時間領域でのエッジ回折の解析法を提案する。散乱界の最終表現を簡単にするために、解析的に計算を行う。これにより、3次元の任意の完全導体散乱体による散乱界を散乱体の周囲の線積分により簡単に評価できる。 |
| 抄録(英) | A time-domain version of the edge diffraction in term of edge currents using the modified edge representation is developed to describe the transient electromagnetic field from a perfectly conducting arbitrarily scattering object excited by a general high frequency time impulsive wave front. By solving analytically the Fourier transform of the Modified Edge Representation expression, this leads us to an analytical expression of the scattered field simple line integration on the edge of the scatterer where the integrant is a linear function of the incident field. |
| キーワード(和) | エッジ回折 / 時間領域 / 修正エッジ法 / 等価端部電磁流 |
| キーワード(英) | Time Domain Modified Edge Representation(TDMER) / Edge Diffraction / Time Domain representation / Modified Edge Repressentation(MER) / Equivalent Edge Current / target signature |
| 資料番号 | A・P2000-32,SAT2000-29,MW2000-32 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SAT |
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| 開催期間 | 2000/7/19(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Satellite Telecommunications (SAT) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 等価端部電磁流によるエッジ回折の時間領域解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A・P2000-32 / SAT2000-29 / MW2000-32 Time Domain Analysis of edge diffraction in terms of equivalent edge currents |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エッジ回折 / Time Domain Modified Edge Representation(TDMER) |
| キーワード(2)（和/英） | 時間領域 / Edge Diffraction |
| キーワード(3)（和/英） | 修正エッジ法 / Time Domain representation |
| キーワード(4)（和/英） | 等価端部電磁流 / Modified Edge Repressentation(MER) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | BRUCKERT Elise / Eklise BRUCKERT |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 電気電子工学専攻 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | CUI Suomin / Suomin CUI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 電気電子工学専攻 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | SAKINA Ken-ichi / Ken-ichi SAKINA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 電気電子工学専攻 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | ANDO Makoto / Makoto ANDO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 電気電子工学専攻 Dept.of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/7/19 |
| 資料番号 | A・P2000-32,SAT2000-29,MW2000-32 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 220 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |