講演名 1996/7/23
1.9GHz帯整合回路一体形Si-MMIC受信フロントエンド
末松 憲治, 小野 政好, 久保 俊次, 佐藤 久恭, 伊山 義忠, 石田 修己,
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抄録(和) 1.9GHz帯整合回路一体形Si-MMIC受信フロントエンドを試作した. 本フロントエンドは, MOSFETを用いたT/Rスイッチ, BJTを用いた2段低雑音増幅器(LNA), BJTを用いたダウンコンバータミクサとからなり, 通常の0.8mmBi-CMOSプロセスにより低比抵抗Si基板を用いて作成された. Si基板上のLNAとミクサの整合回路は, コプレーナ線路で構成されている. 試作したT/Rスイッチは0/3Vで制御され, 挿入損失は2.5dB, アイソレーシヨンは25.5dBである. LNAは2V, 4mAで動作し, 利得は17.1dB, NFは2.9dBである. ミクサは2V, 1.7mAで動作し, 変換利得は5.9dB, NFは15dBである. 本フロントエンドの試作により, 移動体通信用端末へのSi-MMIC適用の可能性を示すことができた.
抄録(英) A 1.9GHz-band Si-MMIC front-end was developed, which includes MOSFET T/R switch, two-stage BJT low noise amplifier (LNA), and down converter BJT mixer. This IC front-end is monolithically integrated on a low resistive Si substrate with coplanar waveguide (CPW) type matching circuits in standard 0.8μm Bi-CMOS process. The T/R switch of the front-end has the measured insertion loss of 2.5dB and isolation of 25.5dB at 0/3V control voltage. The LNA has gain of 17.1dB and noise figure (NF) of 2.9dB at 2V, 4mA d.c. supply. The mixer has conversion gain of 5.9dB and NF of 15dB at 2V, 1.7mA d.c. supply. The measured performance of this IC front-end indicates the possibility of application for mobile communication handset terminals.
キーワード(和) マイクロ波回路 / 周波数変換器 / 低雑音増幅器 / 移動体通信 / Si/MMIC
キーワード(英) Microwave circuits / Frequency converter / Low noise amplifiers / Mobile communication / Si-MMIC
資料番号 SAT96-61,MW96-72
発行日

研究会情報
研究会 SAT
開催期間 1996/7/23(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Satellite Telecommunications (SAT)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 1.9GHz帯整合回路一体形Si-MMIC受信フロントエンド
サブタイトル(和)
タイトル(英) A 1.9GHz Band On-chip Matching Si-MMIC Reciever Front-end
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) マイクロ波回路 / Microwave circuits
キーワード(2)(和/英) 周波数変換器 / Frequency converter
キーワード(3)(和/英) 低雑音増幅器 / Low noise amplifiers
キーワード(4)(和/英) 移動体通信 / Mobile communication
キーワード(5)(和/英) Si/MMIC / Si-MMIC
第 1 著者 氏名(和/英) 末松 憲治 / N. SUEMATSU
第 1 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)情報技術総合研究所
Information Technology R&D Center Mitsubishi Electric Corp.
第 2 著者 氏名(和/英) 小野 政好 / M. ONO
第 2 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)情報技術総合研究所
Information Technology R&D Center Mitsubishi Electric Corp.
第 3 著者 氏名(和/英) 久保 俊次 / S. KUBO
第 3 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)ULSI研究所
ULSI Lab. Mitsubishi Electric Corp.
第 4 著者 氏名(和/英) 佐藤 久恭 / H. SATO
第 4 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)システムLSI研究所
System LSI Lab. Mitsubishi Electric Corp.
第 5 著者 氏名(和/英) 伊山 義忠 / Y. IYAMA
第 5 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)情報技術総合研究所
Information Technology R&D Center Mitsubishi Electric Corp.
第 6 著者 氏名(和/英) 石田 修己 / O. ISHIDA
第 6 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)情報技術総合研究所
Information Technology R&D Center Mitsubishi Electric Corp.
発表年月日 1996/7/23
資料番号 SAT96-61,MW96-72
巻番号(vol) vol.96
号番号(no) 169
ページ範囲 pp.-
ページ数 7
発行日