講演名 1996/7/23
40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ
鈴木 康之, 嶋脇 秀徳, 天宮 泰, 永野 暢雄, 矢野 仁之, 後藤 典夫, 本城 和彦,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 高い電流利得遮断周波数(f_T)と最大発振周波数(F_)を有するp^+再成長外部べースAlGaAs/InGaAs HBTを基本素子とした、40Gb/s光伝送用プリアンプを実現した。試作したプリアンプは、帯域34.6GHz、トランスインピーダンス利得41.6dBΩを有し、40Gb/sデータの受信器として使用可能な特性を示した。本結果より、今後p^+再成長外部ペースAlGaAs/InGaAs HBTの40Gb/s光伝送システムへの応用が期待される。
抄録(英) A preamplifier for 40-Gb/s optical transmission systems has been constructed using AlGaAs/InGaAs HBTs with p^+ regrown extrinsic base layers. This preamplifier achieved a bandwidth of 34.6GHz and a transimpedance gain of 41.6dB Ω. The characteristics is suitable for use as a 40Gb/s optical receiver. This result indicates that the AlGaAs/InGaAs HBTs with p^+ regrown extrinsic base layers are very promising for the production of 40Gb/s optical transmission systems.
キーワード(和) HBT / プリアンプ / 光伝送 / 帯域 / トランスインピーダンス利得
キーワード(英) HBT / Preamplifier / Optical Transmission / Bandwidth / Transimpedance Gain
資料番号 SAT96-58,MW96-69
発行日

研究会情報
研究会 SAT
開催期間 1996/7/23(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Satellite Telecommunications (SAT)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ
サブタイトル(和)
タイトル(英) An HBT-Preamplifier for 40-Gb/s Optical Transmission Systems
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) HBT / HBT
キーワード(2)(和/英) プリアンプ / Preamplifier
キーワード(3)(和/英) 光伝送 / Optical Transmission
キーワード(4)(和/英) 帯域 / Bandwidth
キーワード(5)(和/英) トランスインピーダンス利得 / Transimpedance Gain
第 1 著者 氏名(和/英) 鈴木 康之 / Yasuyuki Suzuki
第 1 著者 所属(和/英) NECマイクロエレクトロニクス研究所
Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 嶋脇 秀徳 / Hidenori Shimawaki
第 2 著者 所属(和/英) NECマイクロエレクトロニクス研究所
Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 天宮 泰 / Yasushi Amamiya
第 3 著者 所属(和/英) NECマイクロエレクトロニクス研究所
Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 永野 暢雄 / Nobuo Nagano
第 4 著者 所属(和/英) NECマイクロエレクトロニクス研究所
Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 矢野 仁之 / Hitoshi Yano
第 5 著者 所属(和/英) NECマイクロエレクトロニクス研究所
Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 6 著者 氏名(和/英) 後藤 典夫 / Norio Goto
第 6 著者 所属(和/英) NECマイクロエレクトロニクス研究所
Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 7 著者 氏名(和/英) 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo
第 7 著者 所属(和/英) NECマイクロエレクトロニクス研究所
Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation
発表年月日 1996/7/23
資料番号 SAT96-58,MW96-69
巻番号(vol) vol.96
号番号(no) 169
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日