| 講演名 | 2001/8/28 FSSを用いた薄型化λ/4型電波吸収体の設計法について 横川 英広, 角 和俊, 橋本 修, |
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| 抄録(和) | 抵抗皮膜を用いたλ/4型電波吸収体は, 構造が簡単でしかも設計等が容易にできることから, 室内無線LAN等への利用が期待されている.しかしながら, このタイプの電波吸収体は, 使用するスペーサ内の波長の1/4より薄くできない欠点がある.この問題に対して, 我々はすでにλ/4型電波吸収体のスペーサ部にFSS(Frequency Selective Surface)を抵抗皮膜と並列に挿入し, FSSを用いてスペーサ内での位相を変化させることにより, 吸収体全体の厚みを薄くできることを理論や実験を通して確認している.そこで本研究では, さらに薄型化を達成するために, スペーサ全体の厚みをパラメータとした一般的な設計チャートを制作した.そして, FDTD法を用いてFSSのエレメントの配置間隔と周波数に対するインピーダンスを検討し, さらに設計チャートを用いて具体的に薄型化λ/4型電波吸収体の実現性を検討した. |
| 抄録(英) | For environment of the indoor wireless local area network(LAN), the use of a λ/4 wave absorber with a resistive film will be expected, because the configuration is simply fabricated and is easily designed. However, it cannot be done more thinly than λ/4 long as the thickness of the spacer. For overcome this problem, we already found that the thickness of the spacer was thinned by the control of the phase in the spacer under the condition that a frequency selective surface(FSS)is inserted into the spacer theoretically and experimentally. In this study, we provide the design chart to achieve the more thin structure. The relationship between placement of the element and the impedance variation of the FSS by frequency change is examined by the finite difference time domain(FDTD)method, so that we establish concrete method for realizing the thin thickness λ/4 wave absorber. |
| キーワード(和) | λ/4型電波吸収体 / FSS / 抵抗皮膜 / FDTD法 |
| キーワード(英) | λ/4 wave absorber / FSS / Resistive film / FDTD method |
| 資料番号 | EMCJ2001-49 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMCJ |
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| 開催期間 | 2001/8/28(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromagnetic Compatibility (EMCJ) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | FSSを用いた薄型化λ/4型電波吸収体の設計法について |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Design of a Thin Thickness λ/4 Wave Absorber with FSS Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | λ/4型電波吸収体 / λ/4 wave absorber |
| キーワード(2)（和/英） | FSS / FSS |
| キーワード(3)（和/英） | 抵抗皮膜 / Resistive film |
| キーワード(4)（和/英） | FDTD法 / FDTD method |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 横川 英広 / Hidehiro Yokokawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 青山学院大学理工学部電気電子工学科 Department of Electrical Engineering and Electronics, Aoyama Gakuin University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 角 和俊 / Kazutoshi Sumi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 青山学院大学理工学部電気電子工学科 Department of Electrical Engineering and Electronics, Aoyama Gakuin University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 橋本 修 / Osamu Hashimoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 青山学院大学理工学部電気電子工学科 Department of Electrical Engineering and Electronics, Aoyama Gakuin University |
| 発表年月日 | 2001/8/28 |
| 資料番号 | EMCJ2001-49 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 274 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |