| 講演名 | 2000/10/12 HF帯用SITの1/f雑音測定 伊藤 桂一, 井上 浩, |
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| 抄録(和) | HF帯用SIT(Static Induction Transistor)の10[Hz]～10[MHz]の周波数範囲における雑音特性の測定を行い, 1/f雑音のバイアス依存性について検討した.その結果, 1/f雑音のドレイン電流およびゲートバイアス依存性が観測された.特に, SITのチャンネルが完全に空乏していない状態ではゲートバイアスの影響が強いことが推測される.チャンネルがとピンチオフした状態では, 1[Hz〕における1/f雑音の大きさAはドレイン電流IDに対してA^∝ID^0.10の関係がみられた.他の半導体と比較すると, 電流に対する依存度は小さいと考えられる. |
| 抄録(英) | In this report, the noise property is measured on HF band SIT(Static Induction Transistor)in the frequency range of 10 Hz to 10 MHz , and the bias dependency on the 1/f noise is examined. As a result, both drain current and gate bias dependencies are observed. In particular, when the channel of SIT is not depleted completely, it is supposed that the 1/f noise is strongly affected by the gate bias. When the chan-nel is pinched off, the magnitude of 1/f noise A at 1Hz is related to the drain current ID , Which A is pro-portional to ID^0.10. If is considered that the current dependency of the 1/f noise is weak, comparing to an-other kind of semiconconductor devices. |
| キーワード(和) | SIT / 1/f雑音 / ドレイン電流依存性 / ゲートバイアス依存性 |
| キーワード(英) | SIT / 1/f Noise / Drain current dependency / Gate bias dependency |
| 資料番号 | EMCJ2000-76,MW2000-120 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMCJ |
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| 開催期間 | 2000/10/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromagnetic Compatibility (EMCJ) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | HF帯用SITの1/f雑音測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 1/f Noise Measurement of HF Band SIT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SIT / SIT |
| キーワード(2)（和/英） | 1/f雑音 / 1/f Noise |
| キーワード(3)（和/英） | ドレイン電流依存性 / Drain current dependency |
| キーワード(4)（和/英） | ゲートバイアス依存性 / Gate bias dependency |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 伊藤 桂一 / Keiichi ITOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 秋田工業高等専門学校電気工学科 Department of Electrical Engineering, Akita National College of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井上 浩 / Hiroshi INOUE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 秋田大学工学資源学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering and Resource Science, Akita University |
| 発表年月日 | 2000/10/12 |
| 資料番号 | EMCJ2000-76,MW2000-120 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 363 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |