講演名 2000/4/18
FDTD法による矩形空洞共振器を用いた板状誘電体の複素比誘電率測定に関する検討 : 虚部の誤差評価を中心として
柴田 幸司, 稲上 浩史, 橋本 修, 高橋 穀,
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抄録(和) 本報告ではプリント基板等の板状誘電材料の複素比誘電率を非破壊で測定することを念頭に、スリットを設けた矩形空洞共振器に板状試料を挿入し、複素比誘電率を測定する方法を提案している。すなわち、虚部の測定に必要なQ値の解析にはFDTD法を用い、まず、試料非挿入時のQ値を共振器を構成する銅の導電率を変化させて計算し、この結果を実際に測定したQ値と比較することにより、誤差0.1%以内で一致するように共振器を構成する銅の導電率を解析的に決定した。そして次に、板状試料としてガラスコンポジットセラミックスとガラスエポキシに着目し、共振器法により測定した複素比誘電率を用いて、これらの試料を共振器内に挿入した場合のQ値を計算し、この結果を実際の測定値と比較し、結果、3~9%程度で一致することを確認した。そして最後に、解析的に求めたQ値と虚部の対応関係から推定したtanδを、同試料に対して共振器法を用いて測定したtanδと比較した結果、小数点以下3桁において一致することが分り、本測定法の虚部の測定精度を定量的に示すことができた。
抄録(英) In this study, the author presents the non-destructive measurement method that the imaginary part of the complex permittivity of thin dielectric sample which conforms the slit of the cavity resonator is estimated. In the present study, the author calculates the quality factor using finite difference time domain (FDTD) method, on condition that a thin sample is inserted into the rectangular cavity resonator. The exellent agreement is obtained between calclation and measurement, where the variation of the absolute refrection coefficient between them, is about 9 percent. The author provided here the measurement chat by the relation between the quality factor calclated by FDTD method and the imaginary part of the permittivity, and then the measurement chart could be used for practical measurement.
キーワード(和) 非破壊測定法 / TE_<101>モード矩形空洞共振器 / 複素比誘電率 / 誤差
キーワード(英) non-destructive measurement / Rectangular Cavity Resonator / Complex Permittivity / Error
資料番号 EMCJ2000-6
発行日

研究会情報
研究会 EMCJ
開催期間 2000/4/18(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electromagnetic Compatibility (EMCJ)
本文の言語 JPN
タイトル(和) FDTD法による矩形空洞共振器を用いた板状誘電体の複素比誘電率測定に関する検討 : 虚部の誤差評価を中心として
サブタイトル(和)
タイトル(英) A Study on Mesurement of Complex Permittivity of Dielectric Sample using Rectangular Cavity Resonator by FDTD Method
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 非破壊測定法 / non-destructive measurement
キーワード(2)(和/英) TE_<101>モード矩形空洞共振器 / Rectangular Cavity Resonator
キーワード(3)(和/英) 複素比誘電率 / Complex Permittivity
キーワード(4)(和/英) 誤差 / Error
第 1 著者 氏名(和/英) 柴田 幸司 / Koji Shibata
第 1 著者 所属(和/英) 青山学院大学理工学部電気電子工学科
Dept.of Electronics and Electrical Engineering, Aoyama Gakuin University
第 2 著者 氏名(和/英) 稲上 浩史 / Hirofumi Inagami
第 2 著者 所属(和/英) 青山学院大学理工学部電気電子工学科
Dept.of Electronics and Electrical Engineering, Aoyama Gakuin University
第 3 著者 氏名(和/英) 橋本 修 / Osamu Hashimoto
第 3 著者 所属(和/英) 青山学院大学理工学部電気電子工学科
Dept.of Electronics and Electrical Engineering, Aoyama Gakuin University
第 4 著者 氏名(和/英) 高橋 穀 / Takeshi Takahashi
第 4 著者 所属(和/英) TDK株式会社基礎材料研究所
Materials Research Center, TDK Corporation
発表年月日 2000/4/18
資料番号 EMCJ2000-6
巻番号(vol) vol.100
号番号(no) 8
ページ範囲 pp.-
ページ数 7
発行日