| 講演名 | 1994/10/21 高周波SiパワーMOSFETにおける線形増幅特性 勝枝 嶺雄, 吉田 功, 関根 健治, |
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| 抄録(和) | 移動体通信用送信電力増幅器に使用されるUHFパワーMOSFETはπ, 4シフトQPSKデジタル変調波の場合、優れた高効率線形増幅特性を示す。その要因を検討するために、ドレイン電流一ゲート電圧特性の非線形性にもとずく第5次相互変調歪を解析した。解析結果は隣接チャンネル漏洩電力の測定値とよく一致した。この解析により、UHF帯パワーMOS FETの高効率線形増幅特性はおもにソース抵抗による負帰還効果によることがわかった。 |
| 抄録(英) | UHF power MOSFET amplifiers for mobile communication have been developed,which show good lineality on π, 4 shift OPSK digital mod ulated signal.Calculated 5th intermodulation distortion is found to agree well with the measured adjacent channnel leakage power. Analysis shows good linearity mainly comes from the negative feed back effect of the intrinsic source resistance of power MOSFET. |
| キーワード(和) | 電力増幅器 / パワーMOSFET / π/4シフトQPSK / 相互変調歪 / 多項式近似 / 負帰還 |
| キーワード(英) | amplifier / power MOSFET / π/ shift QPSK / intermodulation / polynomial approximation / negative feedback |
| 資料番号 | EMCJ94-47,MW94-71 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMCJ |
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| 開催期間 | 1994/10/21(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromagnetic Compatibility (EMCJ) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高周波SiパワーMOSFETにおける線形増幅特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on linearity of high frequency power MOSFET amplifier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電力増幅器 / amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | パワーMOSFET / power MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | π/4シフトQPSK / π/ shift QPSK |
| キーワード(4)（和/英） | 相互変調歪 / intermodulation |
| キーワード(5)（和/英） | 多項式近似 / polynomial approximation |
| キーワード(6)（和/英） | 負帰還 / negative feedback |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 勝枝 嶺雄 / Mineo Katsueda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉田 功 / Isao Yoshida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 関根 健治 / Kenji Sekine |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi Ltd. |
| 発表年月日 | 1994/10/21 |
| 資料番号 | EMCJ94-47,MW94-71 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 302 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |