講演名 | 1994/11/18 P-N接合の経時劣化現象 三橋 順一, 渡部 元, 小守 純子, |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | P-N接合の信頼性を調べるためにウェハーレベルでの経時接合劣化(TDJD)現象を評価した。TDJD現象では、誘電体膜におけるTDDBと同様に一定電界を接合に印加し続けることによって生ずる劣化現象で、接合の長期信頼性を評価する上で重要である。潜在的欠陥は、このTDJDによる接合劣化を助長する。さらに、接合周辺部に捕獲された正孔が接合特性を劣化される。接合周辺部は、LOCOS端及びゲート端あるいはその一方で構成されているが、ゲート端がTDJD特性劣化に対して支配的であるといえことが判明した。 |
抄録(英) | Wafer-level time dependent junction degradation(TDJD)has been investigated as a technique for evaluating a junction reliability. reliable junctions for TDJD phenomenon is revealed bythe high constant voltagestressing in the same way as TDDB test and determines the long-term reliability of junction. The latent defects enhance the junction degradation due to TDJD. Also electron trapped at the perimeter of a junction degrades junction characteristics.Although the perimeter of a junction composed with LOCOS and, or gate edge,the gate edge is found to be more significant for the TDJD characteristics. |
キーワード(和) | 経時接合劣化 / TDJD特性 / 正孔捕獲 / チャージポンピング電流 |
キーワード(英) | Time Dependent Junction Degradation / TDJD characteristics / Hole trapping / Charge pumpping Current |
資料番号 | R94-44 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | R |
---|---|
開催期間 | 1994/11/18(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
委員長氏名(英) | |
副委員長氏名(和) | |
副委員長氏名(英) | |
幹事氏名(和) | |
幹事氏名(英) | |
幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Reliability(R) |
---|---|
本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | P-N接合の経時劣化現象 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Phenomenor of time dependent degradation of p-n junction |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 経時接合劣化 / Time Dependent Junction Degradation |
キーワード(2)(和/英) | TDJD特性 / TDJD characteristics |
キーワード(3)(和/英) | 正孔捕獲 / Hole trapping |
キーワード(4)(和/英) | チャージポンピング電流 / Charge pumpping Current |
第 1 著者 氏名(和/英) | 三橋 順一 / Junichi Mitsuhashi |
第 1 著者 所属(和/英) | 三菱電機北伊丹製作所 Kitaitami-Works,Mitsubishi Electric Corp. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 渡部 元 / Hajime Watabe |
第 2 著者 所属(和/英) | 三菱電機ULSI開発研究所 ULSI Laboratory,Mitsubishi Electric Corp. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 小守 純子 / Junko Komori |
第 3 著者 所属(和/英) | 三菱電機ULSI開発研究所 ULSI Laboratory,Mitsubishi Electric Corp. |
発表年月日 | 1994/11/18 |
資料番号 | R94-44 |
巻番号(vol) | vol.94 |
号番号(no) | 352 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |