| 講演名 | 1994/10/14 エレクトロマイグレーションで劣化した配線抵抗の昇温回復特性 大藤 晋一, 塚田 光男, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 微細化したAl配線の信頼性を確保する上でのキーポイントとなるエレクトロマイグレーションによる劣化現象について、その劣化発現に深くかかわる空孔の発生・消滅現象を調べた。低温でエレクトロマイグレーションを発生させることにより欠陥を凍結し、400Kまで一定速度で昇温して劣化の回復、すなわち抵抗の減少量を測定した。空孔が単純な拡散で消滅することを仮定した1次反応モデルを適用し、抵抗回復の活性化エネルギーのスペクトルに変換した。従来報告されている空孔移動の活性化エネルギや蒸着直後の空孔を高密度に含むAl膜のスペクトルと比較検討した。その結果、回復は単一エネルギーの過程ではなく多重過程と考えられた。可能な過程のいくつかについて考察を加えた。 |
| 抄録(英) | Degradation phenomenon of Al metallization in Si LSIs due to electromigration is investigated from the viewpoint of generation and annihilation of defects.The recovery of EM-induced increase in resistance is observed by increasing and decreasing sample temperatures at a constant rate.The first-order reaction model is applied to get activation energy spectra for the recovery.The energy spectra are found to broaden up to 1.1 eV.Based on a comparison of the activation energy required for the motion of vacancy and the spectra for as-deposited films,the 'recovery is thought to be composed of multi-energy processes. |
| キーワード(和) | エレクトロマイグレーション / 配線 / アルミニウム / 欠陥 / 空孔 / 信頼性 |
| キーワード(英) | electromigration / metalization / aluminum / defect / vacancy / reliability |
| 資料番号 | R94-27 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | R |
|---|---|
| 開催期間 | 1994/10/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Reliability(R) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エレクトロマイグレーションで劣化した配線抵抗の昇温回復特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Recovery characteristics at elevated temperatures of electric resistance degraded by electromigration |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エレクトロマイグレーション / electromigration |
| キーワード(2)（和/英） | 配線 / metalization |
| キーワード(3)（和/英） | アルミニウム / aluminum |
| キーワード(4)（和/英） | 欠陥 / defect |
| キーワード(5)（和/英） | 空孔 / vacancy |
| キーワード(6)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大藤 晋一 / Shi-ichi Ohfuji |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT LSI研究所 LSI Laboratories,NTT |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 塚田 光男 / Mitsuo Tsukada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT LSI研究所 LSI Laboratories,NTT |
| 発表年月日 | 1994/10/14 |
| 資料番号 | R94-27 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 276 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |