| 講演名 | 1995/12/15 LSIアルミ配線のEM故障に対する信頼度設計 平岡 一則, 二階堂 忠信, |
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| 抄録(和) | EM故障に対する信頼度要求を満たす範囲内で、最大限のLSI性能を発揮できるような配線の信頼度設計法を述べた。LSIの信頼度からトップダウン的に、配線層への信頼度要求値を定めた{例として、寿命25年、故障率200FIT}。統計的要因を加味したEM試験の加速倍率を示し、試験のEM耐性とLSI実使用時の寿命・故障率との関係を明らかにし、信頼度設計の基本式を表した。従来設計法では過剰な信頼度を要求し、LSI性能を制約することを示した。本設計法では、配線を電流ストレスレベルで分類し、各配線の予測故障率に応じて200FITを配分して、電流密度と電流duty比および総配線長の許容設計領域をマップ形式で表わした。さらに誤差要因を解析し、予測故障率の誤差が最大200%になる可能性があることを示し、この予測誤差を吸収する量として信頼性マージンを位置づけ定量化した。 |
| 抄録(英) | Flexible design method for the reliability concerning with the electro-migration (EM) failure in aluminum interconnects of LSIs is proposed. The obtained design rule can satisfy the requirements of lifetime (25 years) and failure rate (200 FIT) without the excess restriction of current density. The equation for the design is induced using the acceleration factor between the test condition and the operating condition, in consideration of the statistical difference between the test sample and the LSI. The design rules are represented using the maps, which make the design change simple. In addition, the error of the reliability estimation is analyzed. |
| キーワード(和) | LSI / 信頼性 / 配線 / エレクトロマイグレーション(EM) / 故障 / 設計 |
| キーワード(英) | LSI / Reliability / Interconnects / Electromigration (EM) / Failure / design |
| 資料番号 | R95-31 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | R |
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| 開催期間 | 1995/12/15(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Reliability(R) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | LSIアルミ配線のEM故障に対する信頼度設計 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reliability Design Method for EM Failure in Aluminum Interconnects of LSIs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | LSI / LSI |
| キーワード(2)（和/英） | 信頼性 / Reliability |
| キーワード(3)（和/英） | 配線 / Interconnects |
| キーワード(4)（和/英） | エレクトロマイグレーション(EM) / Electromigration (EM) |
| キーワード(5)（和/英） | 故障 / Failure |
| キーワード(6)（和/英） | 設計 / design |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平岡 一則 / Kazunori HIRAOKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT LSI研究所 NTT LSI Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 二階堂 忠信 / Tadanobu NIKAIDO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT LSI研究所 NTT LSI Laboratories |
| 発表年月日 | 1995/12/15 |
| 資料番号 | R95-31 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 432 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |