| 講演名 | 1995/11/10 MOSFET信頼性に与えるプラズマダメージの影響評価 渡部 元, 小守 純子, 東谷 恵市, 益子 洋治, 小山 浩, |
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| 抄録(和) | プラズマチャージングダメージの評価手法に関する検討を行った。プラズマチャージングダメージは、PMOSFETの初期のホットキャリア(HC)誘起のゲート電流(Ig)のみならず、基板電流(Isub)にも影響を与えており、プラズマダメージが大きい程Ig及びIsubが小さく、同時に、HC寿命が短くなる。また、HCストレスにより、Igは非常に短時間に減少し、その後飽和傾向を示す。これは、プラズマチャージングダメージにより発生したトラップが電子を捕獲し、飽和状態に達するためである。この状態でのドレイン電流シフトは、ダメージにより発生したトラップ量を、正確に反映する。この現象を用い、非常に短時間でプラズマダメージを正確にモニタする手法を開発した。 |
| 抄録(英) | We propose a novel monitoring method for plasma charging damage using various antenna test structures. The method performs a quick and accurate evaluation using antenna PMOSFET. It was found that initial gate current and substrae current indicates plasma charging damage. Furthermore the present work suggests that the monitoring shift of drain current after a few seconds of HC stress is a more accurate method to indicate plasma charging damage. The monitoring method using the present test structure is demonstrated to be useful for realizing highly reliable devices. |
| キーワード(和) | プラズマダメージ / PMOSFET / ホットキャリア / アンテナ効果 |
| キーワード(英) | Plasma induced charging damage / PMOSFET / hot carrier / antenna effect |
| 資料番号 | R95-25 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | R |
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| 開催期間 | 1995/11/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Reliability(R) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOSFET信頼性に与えるプラズマダメージの影響評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Plasma-Induced Damage on MOSFET Reliability |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマダメージ / Plasma induced charging damage |
| キーワード(2)（和/英） | PMOSFET / PMOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | ホットキャリア / hot carrier |
| キーワード(4)（和/英） | アンテナ効果 / antenna effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡部 元 / Hajime Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI開発研究所 評価解析センター第2グループ Mitsubishi Electic Corporation, ULSI Laboratory, Evaluation Analysis Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小守 純子 / Junko Komori |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI開発研究所 評価解析センター第2グループ Mitsubishi Electic Corporation, ULSI Laboratory, Evaluation Analysis Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 東谷 恵市 / Keiichi Higashitani |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI開発研究所 LSIプロセス開発第3部第1グループ Mitsubishi Electic Corporation, ULSI Laboratory, Evaluation Analysis Center |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 益子 洋治 / Yoji Mashiko |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI開発研究所 評価解析センター第2グループ Mitsubishi Electic Corporation, ULSI Laboratory, Evaluation Analysis Center |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小山 浩 / Hiroshi Koyama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)ULSI開発研究所 評価解析センター第2グループ Mitsubishi Electic Corporation, ULSI Laboratory, Evaluation Analysis Center |
| 発表年月日 | 1995/11/10 |
| 資料番号 | R95-25 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 348 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |