| 講演名 | 1995/11/10 ゲート酸化膜リーク解析手法 直永 卓也, 薦田 弘敬, 吉岡 信治, |
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| 抄録(和) | 最近、半導体集積回路のゲート酸化膜の信頼性向上および故障解析が重要となってきている。我々は故障原因を迅速に工程内へフィードバックするために、ゲート酸化膜の効率的な解析手法を開発した。複数個同時に、精度良くエッチング処理した後、平面的に走査型電子顕微鏡(SEM)で観察する手法により、効率的にゲート酸化膜リークモードを解析した。また、透過型電子顕微鏡(TEM)で観察する手法によりゲート酸化膜リーク箇所にシリコン(Si)基版の転位が観察された。この報告ではこれらの解析手法と結果について述べる。 |
| 抄録(英) | Recently, for the semiconductor integrated circuit, the improvement of the reliability and failure analysis of gate oxide have become important. We developed techniques of the analysis of gate oxide to feed back the cause of the failure into the process quickly. After etching many samples at the same time accurately, we effectively analyzed the oxide leakage mode using Plane SEM observation technique. Also, The dislocation of the silicon substrate was observed at the gate oxide leakage point using Cross-section TEM observation technique. In this paper, we reports these analysis techniques and the results. |
| キーワード(和) | 故障解説 / ゲートリーク |
| キーワード(英) | Failure Analysis / Gate Leakage |
| 資料番号 | R95-24 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | R |
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| 開催期間 | 1995/11/10(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Reliability(R) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゲート酸化膜リーク解析手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The analysis techniques for the gate oxide leakage |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 故障解説 / Failure Analysis |
| キーワード(2)（和/英） | ゲートリーク / Gate Leakage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 直永 卓也 / Takuya Naoe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社リコー 電子計算デバイス事業部 RICOH Company Ltd. Electronic Devies Division |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 薦田 弘敬 / Hirotaka Komoda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社リコー 電子計算デバイス事業部 RICOH Company Ltd. Electronic Devies Division |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉岡 信治 / Shinji Yoshioka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社リコー 電子計算デバイス事業部 RICOH Company Ltd. Electronic Devies Division |
| 発表年月日 | 1995/11/10 |
| 資料番号 | R95-24 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 348 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |