| 講演名 | 2000/12/8 ビアフィル法による高密度ビルドアップサブストレートの作製 中村 高士, 浜田 哲郎, 大久保 利一, 石井 俊明, |
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| 抄録(和) | ビルドアップ法は高密度化に適していることから、半導体用サブストレートに広く用いられている。このようなビルドアップサブストレートの更なる高密度化の手法として、電気めっき法により作製したフィルドビアによるスタッグドビアが注目されている。ビアフィリングを可能とするめっき浴から得られる銅薄膜は、従来用いられてきためっき浴から得られるめっき膜と結晶配向が異なるものの、電気特性がほぼ同様であることがわかった。 |
| 抄録(英) | The build-up method is suitable for making semiconductor substrates because high density patterns can be made. Higher density build-up substrates can be made by using the via filling method. The crystal orientation of the plated copper film from the bath for via filling is different from that from the conventional orcinary bath. However, filled via has the same electrical properties as ordinary conformable via. |
| キーワード(和) | ビルドアップ / ビアフィリング / 結晶配向 / 電気特性 |
| キーワード(英) | Build-up / Via filling / Crystal orientation / Electrical property |
| 資料番号 | EMD2000-76 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
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| 開催期間 | 2000/12/8(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromechanical Devices (EMD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ビアフィル法による高密度ビルドアップサブストレートの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of High Density Build-up Substrate by Via Filling |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ビルドアップ / Build-up |
| キーワード(2)（和/英） | ビアフィリング / Via filling |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶配向 / Crystal orientation |
| キーワード(4)（和/英） | 電気特性 / Electrical property |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 高士 / Takashi Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 凸版印刷株式会社 エレクトロニクス研究所 Toppan Printing Co., Ltd., Electronics Research Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浜田 哲郎 / Tetsuro Hamada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 凸版印刷株式会社 エレクトロニクス研究所 Toppan Printing Co., Ltd., Electronics Research Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大久保 利一 / Toshikazu Okubo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 凸版印刷株式会社 エレクトロニクス研究所 Toppan Printing Co., Ltd., Electronics Research Laboratory |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石井 俊明 / Toshiaki Ishii |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 凸版印刷株式会社 エレクトロニクス研究所 Toppan Printing Co., Ltd., Electronics Research Laboratory |
| 発表年月日 | 2000/12/8 |
| 資料番号 | EMD2000-76 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 511 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |