講演名 2000/6/30
US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
洪 哲雲, 兼城 千波, 野毛 悟, 青木 裕介, 黄 啓新, 宇野 武彦, 宝川 幸司,
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抄録(和) エピタキシャルリフトオフフィルムボンディング技術を用いて、半導体素子を圧電基板上に貼り合わせることによって、高性能な弾性波・半導体複合機能素子は実現できる。素子の信頼性と生産性はさらに高めるために、半導体と圧電体基板間には接着力がもっと強いボンディングが望まれる。本研究では、接着力を強化するため、表面処理方法による材料表面の親水性を詳しく検討した。また、マイクロ波、レーザの照射により貼り合わせ界面における水のマイグレーションを促進させる方法を検討した。これらのことにより、接着力の改善ができた。
抄録(英) In this paper, we report results of study on the bonding process between piezoelectric substrate and semiconductor material. In order to realize rugged bonding interface between semiconductor material and piezoelectric substrate, we studied 1)surface state(hydrophilic and roughness)of GaAs, Si, LiNbO_3 and quartz substrate for different treatment method, 2)effect of migration out of water molecules among bonding surface using radiation of microwave and laser. The experimental results clarified that these improvements in bonding process are effective to obtain stronger bonding interface between piezoelectric substrate and semiconductor material.
キーワード(和) エピタキシャルリフトオフ / 圧電体 / 半導体 / 貼り合わせ技術 / 表面処理 / 弾性波・半導体結合素子
キーワード(英) Epitaxial lift-off / Semiconductor / Van der Waals force / LiNbO_3 / Surface treatment / Film bonding / Wafer bonding / Piezoelectric substrate
資料番号 US2000-28,EMD2000-24,CPM2000-39,OME2000-34
発行日

研究会情報
研究会 EMD
開催期間 2000/6/30(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electromechanical Devices (EMD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
サブタイトル(和)
タイトル(英) Basic Study of Bonding Process between Different Materials
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) エピタキシャルリフトオフ / Epitaxial lift-off
キーワード(2)(和/英) 圧電体 / Semiconductor
キーワード(3)(和/英) 半導体 / Van der Waals force
キーワード(4)(和/英) 貼り合わせ技術 / LiNbO_3
キーワード(5)(和/英) 表面処理 / Surface treatment
キーワード(6)(和/英) 弾性波・半導体結合素子 / Film bonding
第 1 著者 氏名(和/英) 洪 哲雲 / C. Hong
第 1 著者 所属(和/英) 神奈川工科大学ハイテクリサーチセンター
High technology research center, Kanagawa Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 兼城 千波 / C. Kaneshiro
第 2 著者 所属(和/英) 神奈川工科大学ハイテクリサーチセンター
High technology research center, Kanagawa Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 野毛 悟 / S. Noge
第 3 著者 所属(和/英) 神奈川工科大学ハイテクリサーチセンター
High technology research center, Kanagawa Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 青木 裕介 / Y. Aoki
第 4 著者 所属(和/英) 神奈川工科大学ハイテクリサーチセンター
High technology research center, Kanagawa Institute of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 黄 啓新 / K. Koh
第 5 著者 所属(和/英) 神奈川工科大学ハイテクリサーチセンター
High technology research center, Kanagawa Institute of Technology
第 6 著者 氏名(和/英) 宇野 武彦 / T. Uno
第 6 著者 所属(和/英) 神奈川工科大学ハイテクリサーチセンター
High technology research center, Kanagawa Institute of Technology
第 7 著者 氏名(和/英) 宝川 幸司 / K. Hohkawa
第 7 著者 所属(和/英) 神奈川工科大学ハイテクリサーチセンター
High technology research center, Kanagawa Institute of Technology
発表年月日 2000/6/30
資料番号 US2000-28,EMD2000-24,CPM2000-39,OME2000-34
巻番号(vol) vol.100
号番号(no) 165
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日