講演名 | 1998/12/18 n-ヘキサン中電気接点の開離時アークによる材料消耗 箕浦 直樹, 相馬 智幸, 沢 孝一郎, |
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抄録(和) | 本研究の目的は、液体誘電体中において接点開離時に発生するアーク放電が、接触抵抗及び電極材料の移転・消耗特性に及ぼす影響を調べることである。代表的な接点材料であるAg、Pdを用いて行ったこれまでの研究により、電極材料消耗量、接触抵抗の両面から考察した場合、使用してきた液体誘電体(蒸留水、メタノール、n-ヘキサン)中の電気接点技術で最も有効であり可能性が考えられるのは、低電流(2A以下程度)負荷時のn-ヘキサン中であることが明らかとなった。しかしながら、そのn-ヘキサン中においての消耗に関するメカニズム、信頼性などに未だ不明瞭な点が残るため、今回その検討を行なっている。 |
抄録(英) | The purpose of this work is to make clear the pehnomena of electrical contacts in liquid environments with light-duty application. The break operation studies have been conducted on Ag and Pd materials under the inductive in three different dielectric liquids(distilled water, methanol and n-hexane). The characteristics of contact resistance and material transfer are strongly affected by dielectric liquids. According to our previous researches, from the phase of material loss and contact resistance, in n-hexane there is the possibility that better contact reliability can be attained with low load current. This is because in n-hexane wear is very littel, owing to a film on the surface made of the carbons contained in n-hexane, though the contact resistance becomes high with high load current. Thus, this paper mainly reports the results of the detailed experiment in n-hexane. |
キーワード(和) | 液体誘電体 / n-ヘキサン / アーク放電 / 接触抵抗 / 材料消耗 / 接点表面 |
キーワード(英) | dielectric liquid / n-hexane arc contact resistance / material wear / contact surface |
資料番号 | EMD98-75 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | EMD |
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開催期間 | 1998/12/18(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electromechanical Devices (EMD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | n-ヘキサン中電気接点の開離時アークによる材料消耗 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Wear of Electrical Contacts in n-hexane by Breaking Arc |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 液体誘電体 / dielectric liquid |
キーワード(2)(和/英) | n-ヘキサン / n-hexane arc contact resistance |
キーワード(3)(和/英) | アーク放電 / material wear |
キーワード(4)(和/英) | 接触抵抗 / contact surface |
キーワード(5)(和/英) | 材料消耗 |
キーワード(6)(和/英) | 接点表面 |
第 1 著者 氏名(和/英) | 箕浦 直樹 / Naoki Minoura |
第 1 著者 所属(和/英) | 慶應義塾大学理工学部電気工学科 Department of Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Keio University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 相馬 智幸 / Tomoyuki Soma |
第 2 著者 所属(和/英) | 慶應義塾大学理工学部電気工学科 Department of Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Keio University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 沢 孝一郎 / Koichiro Sawa |
第 3 著者 所属(和/英) | 慶應義塾大学理工学部電気工学科 Department of Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Keio University |
発表年月日 | 1998/12/18 |
資料番号 | EMD98-75 |
巻番号(vol) | vol.98 |
号番号(no) | 494 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |