| 講演名 | 1997/7/4 ゾルゲル法によるPZT薄膜のUHF-SHF帯における超音波特性 南條 亮太, 橋本 研也, 山口 正恆, 花嶋 直之, 津々見 修司, 米沢 政, |
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| 抄録(和) | 本報告では, ゾルゲル法によって最も作製し易い0.22-2.65μm厚PZT薄膜の超音波的性質について検討した. この膜厚のPZTで超音波デバイスを構成した場合, その共振周波数はUHFからSHF帯に及ぶ. その様な超高周波域で高精度の特性測定を行うには, 浮遊容量や寄生インダクタンスの影響低減が重要である. 測定方法並びに被測定デバイスの構造を検討し, UHF-SHF帯におけるPZT薄膜の電気的特性に対する測定法を確立した. そして, ゾルゲルPZT薄膜はUHF-SHF帯においても極めて大きな圧電性を有し, しかも誘電的特性も比較的良好であることが判った. 厚み縦振動トランスジューサを構築したところ, 共振周波数1.75GHzにおいて変換損失3.8dB以下, 共振周波数5.26GHzにおいて変換損失11dBを得た. さらに, SAWデバイスや薄膜バルク波共振子を試作し, その基本的特性を得た. |
| 抄録(英) | Study of piezoelectricity and ultrasonic properties was done for PZT films of 0.22 to 2.65μm thickness prepared by sol gel method. First, bulk wave transducers were fabricated employing the PZT films deposited on a Si substrate, and their transducer performances based on thickness-longitudinal vibration were measured. Ultrasonic pulse echo trains were clearly observed with the bias voltage of 30V. The minimum conversion loss reached 3.8dB at 1.75GHz. Next, an SAW delay line employing the PZT film was fabricated on a sapphire substrate. With the bias voltage of 30V, the responses which may be attributed to SAWs were observed. The possibility of developing SAW devices on Si substrates and bulk wave PZT film/Si diaphragm resonator was also experimentally discussed. |
| キーワード(和) | PZT / ゾルゲル法 / 超音波トランスジューサ / 弾性表面波 / 薄膜バルク波共振子 |
| キーワード(英) | PZT Sol gel method / Ultrasonic transducer / Surface acoustic wave / Thin-film bulk-wave resonator |
| 資料番号 | EMD97-24 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
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| 開催期間 | 1997/7/4(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromechanical Devices (EMD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゾルゲル法によるPZT薄膜のUHF-SHF帯における超音波特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultrasonic Properties of PZT Thin Films in UHF-SHF Ranges |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | PZT / PZT Sol gel method |
| キーワード(2)（和/英） | ゾルゲル法 / Ultrasonic transducer |
| キーワード(3)（和/英） | 超音波トランスジューサ / Surface acoustic wave |
| キーワード(4)（和/英） | 弾性表面波 / Thin-film bulk-wave resonator |
| キーワード(5)（和/英） | 薄膜バルク波共振子 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 南條 亮太 / Ryota Nanjo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronics Engineering, Chiba University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 橋本 研也 / Ken-ya Hashimoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronics Engineering, Chiba University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 正恆 / Masatsune Yamaguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部電気電子工学科 Dept. of Electrical and Electronics Engineering, Chiba University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 花嶋 直之 / Naoyuki Hanajima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱マテリアル株式会社総合研究所 Central Research Institute, Mitsubishi Material Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 津々見 修司 / Syuji Tsutsumi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱マテリアル株式会社総合研究所 Central Research Institute, Mitsubishi Material Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 米沢 政 / Tadashi Yonezawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱マテリアル株式会社総合研究所 Central Research Institute, Mitsubishi Material Corporation |
| 発表年月日 | 1997/7/4 |
| 資料番号 | EMD97-24 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 149 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |