講演名 1997/4/18
シリコンウェハーの常温接合技術とマイクロ接合への適用
高木 秀樹, 前田 龍太郎, 須賀 唯知,
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抄録(和) シリコンウェハー表面をアルゴンビームによりエッチングしそのまま貼り合わせることで,常温で直接接合する方法を開発した.この方法では,従来のウェハー貼り合わせと同等の強度が得られ,接合時に荷重なども必要としなかった.接合は特に超高真空中でなくても可能であり,アルゴンなどの不活性ガス雰囲気では1000Pa程度まで接合強度に影響しなかった.また幅100μmの微小接合部での接合実験から,マイクロボンディングへも適用可能であることを確認した.これらの結果から,本方法は微小部品の組立やパッケージング方法として非常に有望であると考えられる.
抄録(英) We have developed a new method for the direct bonding of silicon wafers at room temperature. In the method Ar beam etching is used to modify the surface of the specimens, and they are bonded in vacuum. The bonding prepared by the method is as strong as conventional wafer fusion bonding. Pressing load is not necessary when two specimens are mated. Also, this method does not need ultrahigh vacuum condition. Especially, the influence of inert gas in the vacuum chamber is quite small. Even in the 1000Pa of Ar, strong bonding can be attained. This method can be applied to the small area bonding of 100μm wide lines. These results demonstrate the advantages of this method in assembling and packaging of MEMS.
キーワード(和) 常温接合 / 直接接合 / シリコンウェハー / アルゴンビームエッチング / マイクロボンディング
キーワード(英) Room temperature bonding / Direct bonding / Silicon wafer / Ar beam etching / Micro bonding
資料番号 EMD97-5
発行日

研究会情報
研究会 EMD
開催期間 1997/4/18(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electromechanical Devices (EMD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) シリコンウェハーの常温接合技術とマイクロ接合への適用
サブタイトル(和)
タイトル(英) Room temperature silicon wafer direct bonding and its applicability to micro bonding
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 常温接合 / Room temperature bonding
キーワード(2)(和/英) 直接接合 / Direct bonding
キーワード(3)(和/英) シリコンウェハー / Silicon wafer
キーワード(4)(和/英) アルゴンビームエッチング / Ar beam etching
キーワード(5)(和/英) マイクロボンディング / Micro bonding
第 1 著者 氏名(和/英) 高木 秀樹 / Hideki Takagi
第 1 著者 所属(和/英) 通商産業省工業技術院機械技術研究所
Mechanical Engineering Laboratory, AIST. MITI.
第 2 著者 氏名(和/英) 前田 龍太郎 / Ryutaro Maeda
第 2 著者 所属(和/英) 通商産業省工業技術院機械技術研究所
Mechanical Engineering Laboratory, AIST. MITI.
第 3 著者 氏名(和/英) 須賀 唯知 / Tadatomo Suga
第 3 著者 所属(和/英) 東京大学先端科学技術研究センター
Research Center for Advanced Science and Technology, Univ. Tokyo
発表年月日 1997/4/18
資料番号 EMD97-5
巻番号(vol) vol.97
号番号(no) 12
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日