| 講演名 | 2002/1/10 1200MHz共振器内蔵電圧制御発振器 伊藤 信之, 石塚 慎一郎, |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Fully integrated VCO with "turbo-charger" technique to improve phase noise characteristics has been presented. The phase noise degradation of relatively lower oscillation frequency in tuning range was caused by oscillation amplitude lowering due to large total capacitance, on the other hand, the phase noise degradation of relatively higher frequency in tuning range was caused by excess current noise. New "turbo charger" circuit was increasing operation current to obtain enough trans-conductance of amplifier when oscillation frequency was lower to improve phase noise characteristics. The phase noise of VCO, which was adapted this technique, was presented extremely low and stable, below -140 dBc/Hz at 3 MHz offset from oscillation frequency, in wide oscillation frequency range, approximately 200 MHz for 1200 MHz oscillation. This VCO was worked with 5.8-7.4-mA current consumption under 3-V supply voltage. The manufacturing process was 0.6-μm SiGe-BiCMOS. |
| キーワード(和) | 共振器内蔵 / 電圧制御発振器 / SiGe / BiCMOS / 位相雑音 |
| キーワード(英) | Fully integrated VCO / SiGe-BiCMOS / Phase noise |
| 資料番号 | 2001-ED-204,2001-MW-159,2001-ICD-201 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2002/1/10(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 1200MHz共振器内蔵電圧制御発振器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 1200-MHz Fully Integrated VCO |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 共振器内蔵 / Fully integrated VCO |
| キーワード(2)（和/英） | 電圧制御発振器 / SiGe-BiCMOS |
| キーワード(3)（和/英） | SiGe / Phase noise |
| キーワード(4)（和/英） | BiCMOS |
| キーワード(5)（和/英） | 位相雑音 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 伊藤 信之 / Nobuyuki Itoh |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝 セミコンダクター社 アナログペリフェラル統括部 nalog & Peripheral Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石塚 慎一郎 / Shin-ichiro Ishizuka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝 セミコンダクター社 アナログペリフェラル統括部 nalog & Peripheral Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 2002/1/10 |
| 資料番号 | 2001-ED-204,2001-MW-159,2001-ICD-201 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 553 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |