講演名 2001/10/19
1/4λバイアス回路装荷6~18GHz帯SPDT MIC PINスイッチ
垂井 幸宣, 川野 肇, 稲見 和喜,
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抄録(和) スイッチの高耐電力化を図るためにはPINダイオードを用いたスイッチがしばしば用いられるが、広帯域化との両立が困難であり、またバイアス回路により回路が大型化するという問題があった。今回まず並列PINダイオードON時に遮断ポートに形成される共振回路のf特を、通過ポート側のバイアス回路を兼ねた1/4λスタブで整合をとり広帯域化を図る回路構成を提案する。次に本回路構成を用いてディスクリートPINダイオードをアルミナ基板上に実装した広帯域・高耐電力・小型MICスイッチの試作結果を示す。サイズ2.1×5.8mm, 周波数6~18GHzで損失0.9~2.3dB, アイソレーション20dB, 耐電力41dBmの特性が得られた。
抄録(英) It is difficult to obtain both high power and broad band characteristics for microwave switches, and in the case of using PIN diodes for switches there is a problem that bias circuit would increase device size. In this report, SPDT PIN switch configuration using shunt PIN diode for high power characteristic and 1/4λbias stub for broad band characteristic and small size, will be proposed. MIC switch results employing this configuration will also be shown using discrete PIN diodes and Al203 substrate, demostrating insertion loss. 0.9 to 2.3 dB, isolation: 20dB, Input power: 41dBm with excellent linearity, size: 2.1×5.8mm for 6 to 18GHz band.
キーワード(和) SPDTスイッチ / PIN DIODE / 広帯域 / 高耐電力
キーワード(英) SPDT SWITCH / PIN DIODE / BROAD BAND / HIGH POWER
資料番号 EMCJ2001-69, MW2001-87
発行日

研究会情報
研究会 MW
開催期間 2001/10/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Microwaves (MW)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 1/4λバイアス回路装荷6~18GHz帯SPDT MIC PINスイッチ
サブタイトル(和)
タイトル(英) A6-18GHzSPDT MIC PIN Switch with 1/4λ line bias circuit
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) SPDTスイッチ / SPDT SWITCH
キーワード(2)(和/英) PIN DIODE / PIN DIODE
キーワード(3)(和/英) 広帯域 / BROAD BAND
キーワード(4)(和/英) 高耐電力 / HIGH POWER
第 1 著者 氏名(和/英) 垂井 幸宣 / Yukinobu TARUI
第 1 著者 所属(和/英) 三菱電機鎌倉製作所
Mitsubishi Elec.Kamakura Works
第 2 著者 氏名(和/英) 川野 肇 / Hajime KAWANO
第 2 著者 所属(和/英) 三菱電機鎌倉製作所
Mitsubishi Elec.Kamakura Works
第 3 著者 氏名(和/英) 稲見 和喜 / Kazuyoshi INAMI
第 3 著者 所属(和/英) 三菱電機鎌倉製作所
Mitsubishi Elec.Kamakura Works
発表年月日 2001/10/19
資料番号 EMCJ2001-69, MW2001-87
巻番号(vol) vol.101
号番号(no) 393
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日