| 講演名 | 2001/9/7 p-MOSFETカレントミラー回路を用いたベース電圧自己補償形バイアス回路内蔵SiGe HBTドライバ増幅器 新庄 真太郎, 森 一富, 上馬 弘敬, 末松 憲治, |
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| 抄録(和) | 低アイドル電流動作且つ低ひずみなSiGe HBTドライバ増幅器を実現するために、ベース電圧自己補償形定電圧バイアス回路を提案し、試作によりその有効性を確認した。提案の回路は通常の定電圧バイアス回路にp-MOSFETカレントミラー回路を付加した構成である。ベース電流が増加する高出力電力時に自動的に定電圧バイアス回路を流れる基準電流を増加させることによりベース電圧の電圧降下を抑制し、低アイドル電流動作で低ひずみな特性を実現することができる。また、MMICに容易に内蔵することが可能であり、将来の送受信システムチップ化に適している。計算の結果、通常の定電圧バイアス回路を用いた増幅器と比較しP1dBが3.0dB改善された。試作の結果、15.3mAのアイドル電流動作時に14.9dBmのP1dBを得た。 |
| 抄録(英) | An L-Band low quiescent current and low distortion SiGe HBT driver amplifier having a self base bias control circuit is described. Since the size of this circuit is small and it does not need external control circuit, it is easy to integrate with the driver amplifier on single chip. According to the output power level, the self base bias control circuit, which is the combination of a p-MOSFET current mirror and a conventional constant base voltage circuit, automatically controls the base voltage and allows low quiescent current at low output power level and low distortion at high output power level. The simulated result shows that the proposed driver amplifier realized P1dB improvement of 3.0dB compared with the conventional constant base voltage driver amplifier under the same quiescent condition. The fabricated amplifier achieved P1dB of 14.9dBm with quiescent current of 15.3mA. |
| キーワード(和) | マイクロ波 / ドライバ増幅器 / SiGe / 自己バイアス制御回路 / p-MOSFET / カレントミラー回路 |
| キーワード(英) | Microwave / Driver Amplifier / SiGe / Self Bias Control Circuit / p-MOSFET / Current Mirror Circuit |
| 資料番号 | ED2001-111,MW2001-63 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2001/9/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | p-MOSFETカレントミラー回路を用いたベース電圧自己補償形バイアス回路内蔵SiGe HBTドライバ増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Quiescent Current SiGe HBT Driver Amplifier Having p-MOSFET Current Mirror Type Self Bias Control Circuit |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ波 / Microwave |
| キーワード(2)（和/英） | ドライバ増幅器 / Driver Amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(4)（和/英） | 自己バイアス制御回路 / Self Bias Control Circuit |
| キーワード(5)（和/英） | p-MOSFET / p-MOSFET |
| キーワード(6)（和/英） | カレントミラー回路 / Current Mirror Circuit |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 新庄 真太郎 / Shintaro Shinjo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森 一富 / Kazutomi Mori |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 上馬 弘敬 / Hiroyuki Joba |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 末松 憲治 / Noriharu Suematsu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2001/9/7 |
| 資料番号 | ED2001-111,MW2001-63 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 297 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |