| 講演名 | 2001/6/19 デュアルバイアスフィードSiGe HBT線形低雑音増幅器 谷口 英司, 前田 憲一, 生島 貴之, 貞廣 圭一, 伊東 健治, 末松 憲治, 高木 直, |
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| 抄録(和) | ダイオード及び抵抗フィード回路から成るデュアルバイアスフィード回路を提案する. デュアルバイアスフィード回路はHBTのベースバイアスを, 小信号時には主に抵抗フィード回路から供給し, 大信号時には主にダイオードバイアスフィード回路から供給するもので, 小信号時に雑音指数を劣化させることなく, 飽和電力特性及び線形性を向上することができる. 提案したデュアルバイアスフィード回路をSiGeプロセスを用いた低雑音増幅器に適用し2GHz帯にて試作した結果, 従来の抵抗バイアスフィード回路のみを用いた場合に比較し, 小信号時の雑音指数は同等で, P1dBが約5dB向上する良好な性能が得られた. |
| 抄録(英) | A SiGe HBT low noise linear amplifier (LNA) with novel diode / resistor dual bias feed circuit for a base of HBT is described. The dual bias feed circuit extends P1dB without degradation of noise figure. In small signal region, the conventional resistor bias feed circuit is a dominant base current source, and in large signal region, the diode turns on and the diode bias feed circuit can supply base current like a voltage source which allows higher output power and linearity. The fabricated dual bias feed LNA shows the P1dB improvement of 5dB and noise figure comparable to the conventional resistor bias feed LNA in 2GHz-band. |
| キーワード(和) | 低雑音増幅器 / バイポーラトランジスタ / Si / SiGe / MMIC |
| キーワード(英) | Low Noise Amplifier / Bipolar Transistor / Si / SiGe / MMIC |
| 資料番号 | MW2001-25,OPE2001-12 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2001/6/19(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | デュアルバイアスフィードSiGe HBT線形低雑音増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dual Bias Feed SiGe HBT Low Noise Linear Amplifier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低雑音増幅器 / Low Noise Amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | バイポーラトランジスタ / Bipolar Transistor |
| キーワード(3)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(4)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(5)（和/英） | MMIC / MMIC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 谷口 英司 / E. Taniguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Information Technology R&D Center Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 前田 憲一 / K. Maeda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Information Technology R&D Center Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 生島 貴之 / T. Ikushima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Information Technology R&D Center Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 貞廣 圭一 / K. Sadahiro |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Information Technology R&D Center Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 伊東 健治 / K. Itoh |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Information Technology R&D Center Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 末松 憲治 / N. Suematsu |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Information Technology R&D Center Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 高木 直 / T. Takagi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Information Technology R&D Center Mitsubishi Electric Corp. |
| 発表年月日 | 2001/6/19 |
| 資料番号 | MW2001-25,OPE2001-12 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 136 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |