| 講演名 | 2001/1/11 エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール 尾藤 康則, 加藤 武彦, 加藤 輝久, 岩田 直高, |
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| 抄録(和) | Wide-band CDMA(W-CDMA)端末用0.1cc高出力マルチチップモジュール(MCM)を試作した。搭載した素子は、エンハンスメント型ダブルドープダブルヘテロ接合FET(HJFET)であり、ゲート順方向立上り電圧を高めるため、In_<0.2>Ga_<0.8>Asチャネル層の上に5nm厚さのAl_<0.5>Ga_<0.5>Asバリア層を配している。また、上下Al_<0.2>Ga_<0.8>As電子供給層厚さを最適化して、最大ドレイン電流を高めている。2段アンプMCM(ゲート幅:前段3.2mm, 後段12.8mm)の1.9GHz W-CDMA出力特性を3.5V単一正電源にて評価した。その結果、W-CDMA歪規格時に出力電力26.0dBm、電力付加効率(PAE)47.2%及び付随利得22.3dBを得た。得られたPAEは世界最高値である。また、電源電圧2.0Vにおいても、PAE=46%の良好な低電圧出力特性を得た。以上の結果より、試作したMCMはW-CDMA端末用パワーアンプとして有望であると考える。 |
| 抄録(英) | A 0.1cc highly efficient power amplifier multi chip module(MCM) employing novel enhancement-mode double-doped AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterojunction FETs(HJFET) has been successfully developed for 1.9GHz wide-band CDMA(W-CDMA) handsets. The HJFET has a 5nm thickness Al_<0.5>Ga_<0.5>As barrier layer for improving a gate forward turn-on voltage. It was also optimized with thickness of upper and lower Al_<0.2>Ga_<0.8>As electron supply layers to obtain a high maximum drain current. Under single 3.5V operation, the two-stage power amplifier MCM exhibited 26.0dBm output power, a record 47.2% power-added efficiency(PAE) and 22.3dB associated gain at W-CDMA distortion criteria. Even operated at a reduced operation voltage of 2.0V, a high PAE of 46% was achieved. These results indicated the developed MCM is promising for W-CDMA handsets. |
| キーワード(和) | W-CDMA / MCM / エンハンスメント型HJFET / ゲート順方向立上り電圧 / Al_<0.5>Ga_<0.5>Asバリア層 |
| キーワード(英) | W-CDMA / MCM / Enhancement-mode HJFET / Gate turn-on voltage / Al_<0.5>Ga_<0.5>As barrier layer |
| 資料番号 | ED2000-230,MW2000-179,ICD2000-190 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2001/1/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Efficiency Power Amplifier Module with Novel Enhancement-Mode Heterojunction FETs for Wide-Band CDMA Handsets |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | W-CDMA / W-CDMA |
| キーワード(2)（和/英） | MCM / MCM |
| キーワード(3)（和/英） | エンハンスメント型HJFET / Enhancement-mode HJFET |
| キーワード(4)（和/英） | ゲート順方向立上り電圧 / Gate turn-on voltage |
| キーワード(5)（和/英） | Al_<0.5>Ga_<0.5>Asバリア層 / Al_<0.5>Ga_<0.5>As barrier layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 尾藤 康則 / Yasunori Bito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC化合物デバイス事業部 Compound Semiconductor Device Division, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 武彦 / Takehiko Kato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC化合物デバイス事業部 Compound Semiconductor Device Division, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 加藤 輝久 / Teruhisa Kato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 内藤電誠町田製作所 Naito Densei Machida Mfg.Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩田 直高 / Naotaka Iwata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC化合物デバイス事業部 Compound Semiconductor Device Division, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2001/1/11 |
| 資料番号 | ED2000-230,MW2000-179,ICD2000-190 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 551 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |