| 講演名 | 2000/9/15 An Improved Physical Model for the Analysis of High Frequency Active Devices , |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | This report describes an improved time-domain simulation model for high frequency active devices using the FDTD method. The model is based on the Boltzmann's transport equation to describe the physical transport of the carriers. A 2D structure of a MESFET including the air part above the device is considered. It is shown that the inclusion of the fringing fields above the device enhances the accuracy of the simulation. The analysis includes I-V curves as well as device gain at a wide frequency range. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | GaAs MESFETs / Boltzmann's transport equation / FDTD method / Physical modeling |
| 資料番号 | ED2000-155,MW2000-108 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
|---|---|
| 開催期間 | 2000/9/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An Improved Physical Model for the Analysis of High Frequency Active Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / GaAs MESFETs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / M.A. Alsunaidi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Communications Engineering Tokai University |
| 発表年月日 | 2000/9/15 |
| 資料番号 | ED2000-155,MW2000-108 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 308 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |