講演名 2000/9/15
物理デバイスを組み込んだ回路シミュレーション
, 安藤 裕二, 葛原 正明,
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抄録(和) 現実的な周辺回路と2次元GaAs FETモンテカルロモデルを連結した大信号シミュレーションを行った。FETと回路を時間領域で扱った。小信号モデルとDC特性を用いて、出力パワーとゲインを重視して回路を設計した。計算したパワー特性は実測に近い。振幅と位相歪特性(AM-PM)を用いて、IMDを見積もった。振幅歪がIMD3とIMD5を支配した。AM-PMとRF I-V特性に密着な関係がある。この連結したシミュレーション方法は、デバイス・回路開発時間を短縮する展望がある。
抄録(英) Large signal simulation using a 2-dimensional GaAs FET Monte Carlo simulator coupled to a practical amplifier circuit is demonstrated. Both FET and circuit are treated in the time domain. Source and load impedances are designed using a small signal model and DC characteristics, for high output power and gain. Simulated power performance is in fair agreement with experiment. Simulated amplitude and phase distortion characteristics(AM, PM) are used to estimate intermodulation distortion products(IMD). In this case, amplitude distortion dominates IMD3 and IMD5. AM-PM characteristics are related to the RF I-V characteristics. This technique can shorten development time by predicting distortion characteristics.
キーワード(和) デバイスモデル / MESFET / GaAs / 回路モデル / マイクロ波 / 歪
キーワード(英) device simulation / MESFET / GaAs / circuit simulation / microwave / distortion
資料番号 ED2000-153,MW2000-106
発行日

研究会情報
研究会 MW
開催期間 2000/9/15(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Microwaves (MW)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 物理デバイスを組み込んだ回路シミュレーション
サブタイトル(和)
タイトル(英) Coupled Physical Device-Circuit Simulation
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) デバイスモデル / device simulation
キーワード(2)(和/英) MESFET / MESFET
キーワード(3)(和/英) GaAs / GaAs
キーワード(4)(和/英) 回路モデル / circuit simulation
キーワード(5)(和/英) マイクロ波 / microwave
キーワード(6)(和/英) 歪 / distortion
第 1 著者 氏名(和/英) / W. Contrata
第 1 著者 所属(和/英) NEC 光・無線デバイス研究所
Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corp.
第 2 著者 氏名(和/英) 安藤 裕二 / Y. Ando
第 2 著者 所属(和/英) NEC 光・無線デバイス研究所
Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corp.
第 3 著者 氏名(和/英) 葛原 正明 / M. Kuzuhara
第 3 著者 所属(和/英) NEC 光・無線デバイス研究所
Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corp.
発表年月日 2000/9/15
資料番号 ED2000-153,MW2000-106
巻番号(vol) vol.100
号番号(no) 308
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日