講演名 1999/1/20
0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
和田 茂己, 前多 正, 徳島 正敏, 山崎 仁, 石川 昌興, 藤井 正浩,
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抄録(和) 次世代動画対応携帯端末向けICとして、ゲート長0.1μmのGaAs-HJFETを用い、Ka帯256/258可変分周器ICを試作した。ICを構成する基本素子には、ゲートフリンジング容量(C^_f)が低減可能な0.1μmDouble-Deck-Shaped(DDS)ゲート構造Enhancement(E)/Depletion(D)型HJFETを開発・採用した。またICのアーキテクチャには、パルススワロカウンタ方式を採用し、基本回路には高速・低消費電力動作に優れるQuasi-Differential switch Flip-Flop(QD-FF)を、入力バッファ回路には低電圧駆動にて両相信号が得られるSource-Coupled push-pull Circuit(SCC)を用いた。試作したICを評価した結果、電源電圧1.0Vにおいて、動作速度28GHz、消費電力120mWを得ることができた。この結果は、可変分周速度で従来報告例の約2倍、消費電力で従来トレンドの約1/50である。
抄録(英) We have developed 0.1-μm double-deck-shaped(DDS)gate enhancement-mode(E)and depletion-mode(D)heterojunction(HJ)FET technology based upon an all-dry-etching process, which enables high current-gain cut-off frequencies(f_T)in both E- and D-mode FETs above 100 GHz. We also report the first 256/258 dual-modulus prescaler IC operating above 20 GHz with low power consumption. The prescaler IC has a pulse swallow counter-type architecture, which consists of quasi-differential switch flip-flops(QD-FFs)as the basic circuit architecture and a source-coupled push-pull circuit(SCC)as the input buffer circuit. Obtained maximum input frequency for the prescaler was 28 GHz with power consumption of 120 mW at a supply voltage of 1.0 V. This power consumption is about 1/50 of the value extrapolated from ones reported for prescalers.
キーワード(和) ヘテロ接合FET / GaAs / T型ゲート電極 / DCFL / フリップフロップ / 可変分周器
キーワード(英) Hetero-Junction FET(HJFET) / GaAs / T-shaped Gate / DCFL / Flip-Flop / Dual-Modulus Prescaler
資料番号 ED98-195,MW98-158,ICD98-262
発行日

研究会情報
研究会 MW
開催期間 1999/1/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Microwaves (MW)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
サブタイトル(和)
タイトル(英) A 28GHz/120mW GaAs 256/258 Dual-Modulus Prescaler IC with 0.1-μm Double-Deck-Shaped(DDS)Gate E/D-HJFETs
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ヘテロ接合FET / Hetero-Junction FET(HJFET)
キーワード(2)(和/英) GaAs / GaAs
キーワード(3)(和/英) T型ゲート電極 / T-shaped Gate
キーワード(4)(和/英) DCFL / DCFL
キーワード(5)(和/英) フリップフロップ / Flip-Flop
キーワード(6)(和/英) 可変分周器 / Dual-Modulus Prescaler
第 1 著者 氏名(和/英) 和田 茂己 / Shigeki Wada
第 1 著者 所属(和/英) NEC光・超高周波デバイス研究所
NEC Corporation Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratory
第 2 著者 氏名(和/英) 前多 正 / Tadashi Maeda
第 2 著者 所属(和/英) NEC光・超高周波デバイス研究所
NEC Corporation Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratory
第 3 著者 氏名(和/英) 徳島 正敏 / Masatoshi Tokushima
第 3 著者 所属(和/英) NEC光・超高周波デバイス研究所
NEC Corporation Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratory
第 4 著者 氏名(和/英) 山崎 仁 / Jin Yamazaki
第 4 著者 所属(和/英) NEC光・超高周波デバイス研究所
NEC Corporation Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratory
第 5 著者 氏名(和/英) 石川 昌興 / Masaoki Ishikawa
第 5 著者 所属(和/英) NEC光・超高周波デバイス研究所
NEC Corporation Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratory
第 6 著者 氏名(和/英) 藤井 正浩 / Masahiro Fujii
第 6 著者 所属(和/英) NEC光・超高周波デバイス研究所
NEC Corporation Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratory
発表年月日 1999/1/20
資料番号 ED98-195,MW98-158,ICD98-262
巻番号(vol) vol.98
号番号(no) 520
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日