| 講演名 | 1999/1/20 Cu配線を用いた超高速SRAM向け0.2μm BiCMOSプロセス技術 橋本 尚, 菊池 俊之, 大橋 直史, 斎藤 達之, 和田 真一郎, 島 明生, 近藤 将夫, 本間 善夫, 渡辺 邦彦, |
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| 抄録(和) | 超高速LSI用0.2μmBiCMOSプロセスを開発した。本プロセスを用いて9Mbit0.6nsのオンチップcashを搭載した200Kゲート25psのECLゲートアレーテストチップの試作に成功した。高性能化のためにバイポーラのベース幅は50nmまで接合をシャロー化し、素子サイズは6μm^2を実現した。Cu配線採用により配線遅延時間をAl配線適用時より30%低減できる事を確認した。低加速イオン注入技術と2ステップ・ベースアニールの組み合わせによりシャローな真性ベース領域をリーク電流の増大無しに実現した。 |
| 抄録(英) | A 0.2-μm bipolar-CMOS process technology on a bonded SOI wafer was newly developed. This process was used to fabricate a new-cache memory chip consisting of 9-Mb 0.6-ns SRAMs and a 200-K 25-ps ECL gate array. To achieve high performance, the 0.2-μm bipolar-CMOS process features a 6-μm^2-cell-size BJT with a 50-nm base width, a 6T-CMOS memory cell and copper interconnects that reduce wiring delay by 30%. A combination of low-energy ion-implantation and two-step annealing was applied to form a low-leakage, shallow base junction. |
| キーワード(和) | Siバイポーラ / BiCMOS / SOI / Cu配線 / 酸化増速拡散 / 浅接合 / SRAM |
| キーワード(英) | Si-bipolar / BiCMOS / SOI / Cu metallization / OED / Shallow junction / SRAM |
| 資料番号 | ED98-194,MW98-157,ICD98-261 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 1999/1/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Cu配線を用いた超高速SRAM向け0.2μm BiCMOSプロセス技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 0.2-μm BiCMOS Process Technology with Copper Metallization for Ultra High-Speed SRAMs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Siバイポーラ / Si-bipolar |
| キーワード(2)（和/英） | BiCMOS / BiCMOS |
| キーワード(3)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(4)（和/英） | Cu配線 / Cu metallization |
| キーワード(5)（和/英） | 酸化増速拡散 / OED |
| キーワード(6)（和/英） | 浅接合 / Shallow junction |
| キーワード(7)（和/英） | SRAM / SRAM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 橋本 尚 / T. Hashimoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菊池 俊之 / T. Kikuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大橋 直史 / N. Ohashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 斎藤 達之 / T. Saito |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 和田 真一郎 / S. Wada |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi, Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 島 明生 / A. Shima |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi, Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 近藤 将夫 / M. Kondo |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 本間 善夫 / Y. Homma |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 渡辺 邦彦 / K. Watanabe |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 1999/1/20 |
| 資料番号 | ED98-194,MW98-157,ICD98-261 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 520 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
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